一、电容器在数字家电中的应用（论文文献综述）
王刚[1]（2021）在《低损耗铌酸盐系微波介质材料低温烧结与性能调控研究》文中研究表明数字家电、5G移动通信、物联网、人工智能等新技术的兴起,极大地推动了电子元器件高频化、微型化、集成化及多功能化进程,同时也对微波介质材料提出了更为严格的要求。因此,微波介质材料正向着满足通信系统高集成化、超宽带、超低损耗方向发展。这就需要揭示微波介质材料的介电机理,优化材料的微波介电性能,发现性能调控及内在影响机制,开发出高性能5G通信用微波介质材料,该项研究具有重要的理论和实践意义。本文以中介电常数、低损耗的铌酸盐体系ZnZrNb2O8和Li3Mg2NbO8陶瓷作为研究对象。采用离子取代、非化学计量比及烧结助剂对微波介电性能进行优化,并基于化学键理论、结构精修、Raman光谱、键能计算等分析手段,揭示结构-微波介电性能调控机理。其次,为了满足低温共烧陶瓷（LTCC）技术要求,通过优化烧结助剂及离子取代方案实现了铌酸盐材料纯相、高性能低温烧结。并基于此设计制作了5G通信用带通滤波器,测试分析结果验证了材料工程应用的可行性。主要研究结果如下:首先,系统地研究了Cu2+离子取代对ZnZrNb2O8陶瓷的晶体结构、微观形貌、Raman振动及微波介电性能的影响。Cu2+离子取代形成了固溶体,导致了晶胞体积的减小,样品的晶粒形态从多面体结构向棒状结构演变。Cu2+离子取代降低了Nb-O键离子性及介电常数。同时Raman半峰宽的降低及晶格能的增加导致了Q×f值的提升。样品的τf值主要受Nb-O键能影响。当烧结在1175℃时,Zn0.04Cu0.06Zr Nb2O8陶瓷的介电性能较为优异:εr=27.9,Q×f=73,200 GHz和τf=-40ppm/℃。其次,采用LBBS助烧剂实现了ZnZrNb2O8陶瓷的低温烧结,获得了优异的微波介电性能。LBBS助烧剂的添加能够实现陶瓷纯相、低温烧结,同时促进晶粒生长,提高ZnZrNb2O8陶瓷的致密度。同时也改变了晶胞体积、NbO6八面体扭曲度、Raman位移和半峰宽,从而影响微波介电性能。ZnZrNb2O8-0.75 wt.%LBBS陶瓷在950℃烧结时的微波介电性能良好:εr=27.1,Q×f=54,500 GHz和τf=-48.7ppm/℃。此外,ZnZrNb2O8-0.75 wt.%LBBS陶瓷与银电极有着良好的化学兼容性,满足LTCC器件的应用需求。此外,通过A/B位离子调控,研究了Li3Mg2NbO6陶瓷微波介电性能调控机理。非计量比的Li添加能够引入晶格缺陷促进烧结、补偿Li挥发提高致密,增大离子极化率从而大幅度提高微波介电性能。为了进一步实现近零的τf值,分别采用Cu/Ta对Li3Mg2NbO6陶瓷A/B位进行取代。Cu2+离子取代后晶胞体积逐渐增加,但原子堆积比逐渐降低,因此导致Q×f值的下降。介电常数的增大与Cu2+离子的高离子极化率有关。同时,Cu2+离子取代改变了NbO6八面体扭曲度,使得陶瓷的τf值向正方向移动。当烧结在1100℃时,Li3Mg2.98Cu0.02NbO6样品具有优异的微波介电性能:εr=15.75,Q×f=92,000 GHz和τf=-2 ppm/℃。此外,我们也采用Ta5+离子取代同时实现提升Q×f值及调节τf值。Ta5+离子降低了晶胞体积,导致了原子堆积比的增加。优化的微观结构及高的堆积比导致了Q×f值的显着增加。而NbO6八面体扭曲度的增加及Nb-O键价的减小提高了陶瓷的温度稳定性。当烧结温度为1100℃时,x=0.02样品的微波介电性能极其优异:εr=15.58,Q×f=113,000 GHz和τf=-4.5 ppm/℃,满足下一代毫米波通讯的要求。再者,为了实现Li3Mg2NbO6陶瓷的低温烧结lunwen,我们对比采用了V5+离子和Li F烧结助剂。首先,V5+离子进入晶格形成固溶体,能够实现陶瓷的纯相、低温烧结。当烧结在900℃时,Li3Mg2Nb0.98V0.02O6样品的微波介电性能卓越:εr=16.01,Q×f=131,000 GHz和τf=-26 ppm/℃,且与银电极的化学兼容性良好,可以满足LTCC器件的实际应用。其次,为了解决玻璃助烧剂成分复杂而在降烧过程中引入第二相的问题,我们采用低熔点的Li F作为烧结助剂。由于Li F成分简单,在液相烧结的作用下,Li F添加能够实现纯相Li3Mg2NbO6陶瓷的低温烧结及致密化。当烧结在925℃时,Li3Mg2NbO6-6 wt.%Li F样品具有近零的τf值:εr=15.4,,Q×f=100,000 GHz和τf=-3.1 ppm/℃。最后,基于Li3Mg2NbO6-6 wt.%Li F陶瓷材料,通过调整流延过程中有机物比例获得平整、均匀的流延膜片,采用LTCC工艺设计制作了带通滤波器。测试结果表明:中心频率为3.5GHz,带内插损约为3 dB,3 GHz处|S21|值衰减大于40 dB,4GHz处|S21|值衰减大于50 dB。测试结果和仿真结果的一致性验证了材料在工程应用中的可行性和实用性。
周济,李龙土,熊小雨[2]（2020）在《我国电子陶瓷技术发展的战略思考》文中研究表明电子陶瓷作为一类重要的战略新材料,是无源电子元件的核心材料,也是电子信息技术领域重要的技术前沿。随着电子信息技术日益走向集成化、智能化和微型化,无源电子元件日益成为电子元器件技术的发展瓶颈,电子陶瓷材料及其制备加工技术的战略地位日益凸显。我国电子陶瓷材料和元件领域已形成了很好的产业技术基础,但在高端材料和元器件方面的竞争力依然不足,一些关键材料技术、工艺技术及设备技术受制于人。研究认为:面对新形势,亟待加大研发投入,理顺体制机制,强化产业链的自主可控和自主创新。
陈富佳[3]（2020）在《PVDF基复合介质膜的储能特性研究》文中研究指明储能电容器特别是静电薄膜电容器因为其超高的功率密度,快速充放电效率以及较高的工作电压,在军用和民用领域有着非常广阔的应用前景。高性能电介质聚合物材料是静电薄膜电容器的关键,要求其具有高介电综合性能、高稳定性和优异的成膜特性。但现有的聚合物材料储能密度较低,无法满足混合电动汽车、武器装备、航空航天等领域对小型化、轻型化和高性能化薄膜电容器的需求,这在一定程度上限制了静电薄膜电容器的发展与应用。以聚偏二氟乙烯（poly（vinylidene fluoride）,缩写为PVDF）基聚合物为代表的聚合物材料具备较高的柔韧性,高击穿场强以及高介电常数等优点,可作为首选介电材料满足储能领域的巨大需求。近年来,为了进一步提高聚合物的储能特性,科研工作者做了大量工作,研究发现,将具有高击穿场强的聚合物与高介电常数的陶瓷填料复合,制备性能优异的柔性纳米复合材料,是一种提升电介质材料储能特性的有效手段。基于此,本论文选用钛酸钡（barium titanate,缩写为BaTiO3）掺杂的聚偏二氟乙烯-六氟丙烯(poly（vinylidene fluoride-hexafluoropropylene,缩写为P（VDF-HFP））基复合材料为主要研究对象,开展了以下工作:（1）本文系统地研究了P（VDF-HFP）的制膜工艺,分别从有机溶剂,溶液浓度和驱溶温度三个方面入手,研究了不同成膜工艺对聚合物薄膜储能特性的影响。研究发现,选择溶剂蒸汽压较大的有机溶剂更有利于制备致密光滑的P（VDF-HFP）薄膜,所制备的薄膜也具备更优异的储能特性。进一步研究发现,25 wt.%高浓度的聚合物溶液所制备的薄膜具有更优异的击穿性能和铁电性能,但考虑到溶液粘稠度对加工的影响,在不影响薄膜成膜性能与电气性能的情况下,选择10 wt.%的溶液浓度进行后续流延膜的制备。温度对P（VDF-HFP）薄膜击穿特性的影响是巨大的,实验发现,高温结晶的薄膜可能具备更完整的晶体结构,能够提升薄膜的耐压能力。（2）以P（VDF-HFP）为基体,多巴胺改性的BaTiO3纳米颗粒为填料,制备了不同掺杂含量的复合薄膜。实验发现,掺杂量越高,复合薄膜的介电常数越高。添加少量的陶瓷颗粒有利于减缓复合薄膜击穿场强下降的趋势,这主要是由于少量陶瓷颗粒增加了薄膜中的陷阱数量,有利于捕获未被束缚的自由电荷。本文还采取自然沉降的处理方式,对BaTiO3的分布进行重力驱动调控,制备了BaTiO3渐变分布的复合薄膜。研究发现,采用该工艺制备的梯度变化的陶瓷颗粒过渡层,由于减少了宏观物理界面,因此避免了各层间材料由于介电性能差异过大所造成的击穿电压过低等问题,同时减少了制备过程中杂质的引入几率,结果表明该工艺可以有效提升介电复合材料的储能性能。（3）为了进一步提升复合薄膜的储能特性,选择氮化硼纳米片（Boron nitride nanosheets,缩写为BNNSs）作为第三相填料,以流延法制备了一种中间夹层为BNNSs的三明治结构复合薄膜。研究发现,添加的BNNSs含量仅为0.75 wt.%,便可显着提升复合薄膜的介电性能,并抑制由于陶瓷颗粒引入所导致的击穿场强降低。相比仅掺杂BaTiO3的薄膜,三明治结构复合薄膜击穿场强提高了148.5%,储能密度提高了235%。这种可靠的夹层结构,为同时提高介电常数和击穿场强提供了新思路。
黄东[4]（2018）在《私募股权投资价值评价及决策研究 ——以投资GH公司为例》文中研究说明私募股权投资基金（PE）在全球发展很快,近年来,我国的民间资本大量涌入资本市场,中国已成为全球最活跃的股权投资目的地。但随着国际金融危机,世界经济持续低迷,我国资本泡沫不断膨胀、经济大幅减速,我国PE市场出现资金多、优质项目少,投资项目价格严重高估,所投项目被大量搁置却难以退出等不健康状态。私募股权投资机构怎样寻找到优质的项目成为股权投资行业所关注的焦点。本文通过对GH公司全面详细的尽职调查,站在投资机构的角度,对GH公司增资扩股的股权投资可行性进行研究。运用因果分析预测法等科学方法预测其未来业绩,采用DCF估值法和市场估值法等估值模型,对GH公司股权投资项目作出合理的估值,从而为投资方案设计、投资收益预测提供理论依据和有力支撑,通过对上述股权投资的分析研究,使我们对股权投资机构的整个投资过程有了基本的了解。同时,文章也希望给投资机构遴选出优质的股权投资项目提供一定的借鉴意义。
朱灿[5]（2017）在《脉宽双加矩型加速度传感器技术研究》文中提出加速度传感器可以测量加速度、震动、倾斜等物理量,广泛地应用于航空航天、惯性制导、倾斜测井等领域之中。石英挠性加速度传感器是现阶段广泛使用的一款加速度传感器。石英挠性加速度传感器脉冲加矩再平衡回路具有抗干扰能力强、稳定好等优点,是加速度传感器数字化的一种重要方案,但是该方案存在测量分辨率不足的问题。本课题提出了二元调宽脉冲双加矩数字化加速度传感器方案,该方案旨在实现系统的全数字化以及提高系统的测量分辨率。课题的主要研究内容如下:1)设计高稳定性恒流源电路。分析了影响反馈型恒流源系统稳定性的主要因素以及各类误差的相互耦合关系,将各种误差因素进行了系统误差合成,设计了高稳定度的恒流源电路。2)提出新型双路电流信号加矩方案。针对双路电流信号加矩时的通道相互耦合问题,提出了交错加矩方案。使用仿真工具搭建了恒流源双路加矩系统电路模型,对交错加矩方案的合理性进行了验证,同时也验证了交错加矩系统的大量程与高分辨率特性。3)研究双路加矩系统控制策略。分析了二元调宽脉冲双加矩系统的传递函数模型,使用仿真工具搭建了系统模型并验证了 PID控制算法可以实现系统稳定控制。针对双路加矩系统的多路控制问题,提出了单路控制量分离方案,并指出了脉冲宽度的相关量化方案。最后,完成了二元调宽脉冲双加矩数字加速度传感器的工程实验样机,搭建了系统的调试与测试平台,对恒流源系统以及整机控制系统的性能指标进行了评估,完成了设计的目标。
周娟[6]（2015）在《基于PEBB的微电网无功补偿装置研制》文中进行了进一步梳理随着分布式发电的发展和微电网示范性工程的成功运行,微电网已成为智能电网发展的趋势之一。微电网中含有大量电力电子装置和非线性负载,其产生的谐波和无功会严重影响微电网的供电质量和供电稳定性。传统的动态无功补偿装置因集成度低、设计非标准化等缺点不利于在微电网中应用。电力电子积木技术（PEBB,Power electronic building block）作为一种可重复利用的标准化电力电子功能模块在电能变换领域得到了广泛的应用。本文将电力电子积木技术应用到微电网无功补偿领域,针对微电网电能质量的特点,通过对PEBB模块的设计对基于PEBB的微电网无功补偿装置的控制方法和样机研制进行了深入探究。本文的研究包括以下几个方面:一、本文分析了微电网中无功功率产生的原因和影响,介绍了微电网无功补偿的研究现状及意义;针对微电网无功补偿的特点,本文提出了基于电力电子积木模块的微电网无功补偿方法,并介绍了电力电子积木结构在微电网无功补偿装置中应用的优点。二、本文介绍了微电网无功补偿装置的拓扑结构,通过对无功补偿装置进行数学建模,详细分析了无功补偿装置工作原理。根据PEBB模块构建原则,本文综合考虑装置的安全性和经济性,完成了主电路的结构设计。三、本文主要从直流侧电压控制、无功补偿控制、谐波抑制控制三方面对微电网无功补偿装置的控制策略进行研究。直流侧采用电压下垂控制策略,制定直流侧电压参考值与电网运行电压间的下垂曲线,通过直流侧电压参考值的控制,使装置在保证无功补偿容量的同时减少开关器件的损耗。无功补偿控制采用基于dq坐标系下的无功电流解耦控制,保证装置在恶劣工况下的高效无功补偿能力。为了增加微电网无功补偿装置的通用性,当微电网中电流畸变率过高时,装置采用谐波抑制控制策略,在dq坐标系下利用准PR控制器对特定次谐波进行抑制,改善微电网电能质量。四、本文设计了基于DSP+FPGA的微电网无功补偿装置控制系统。本文对控制系统的硬件设计和软件编写进行了详述,在本文设计的无功补偿装置样机上进行了无功补偿和谐波治理实验,对本文提出的控制策略进行了验证。为了便于工业化生产,本文从散热设计、电磁兼容设计和机械结构设计三方面对微电网无功补偿装置的工程化技术进行了研究。
王立[7]（2010）在《数字控制的BuckDC-DC变换器研究》文中研究表明为了在失电情况下继续维持智能终端设备短暂工作,研究了一种基于超级电容器储能和buck DC-DC变换器的自动化终端备用开关电源解决方案。论述了电路组成、下限工作电压选取和储能电容器容量设计方法。根据能量平衡关系,分析了负载突然增大和负载突然减轻情况下的最严重电压凹陷和电压骤升,并得出输出滤波电容容量的设计考虑。以一个具体的超级电容器储能FTU电源为例,详细说明了电路参数的设计方法,并进行了实验研究。实验结果表明所设计的超级电容器储能备用电源能够满足在失去正常供电电源后自动化终端待机、操作和通信的需要,并且所进行的理论分析与实际情况相符。为了改善buck DC-DC变换器的动态性能,提出了一种基于微处理器的电流跟踪数字控制方法,根据输出电流和输出电压的采样信息,计算出所需要的输出电流,并将电感电流控制在该输出电流的一个滞环宽度之内。详细分析了负载突变和启动过程中输出电压的动态响应,给出了参数选择和设计依据。在Simulink环境下以一个具体的Buck变换器为例进行仿真实验,获得仿真数据及仿真波形等仿真结果。最后以ARM—LPC2138作为控制平台,制作了一台电流跟踪数字控制的buck DC-DC变换器,并进行了实验研究。实验结果表明所提出的电流跟踪数字控制方法是可行性、所进行的理论分析是正确的,并且表明所提出的方法具有动态响应速度快的特点。
周平章[8]（2009）在《多层片式EMI滤波器的研制》文中认为多层片式EMI滤波器是一种基于低温共烧铁氧体技术（LTCF）的新型滤波器,应用于电磁兼容领域,具有小型化、轻便化和宽频带特点,在通信、汽车、数字化家电等产品中已得到广泛应用。目前LTCF（low temperature Co-fired ferrit）技术已经成为实现无源元件（包括电感、滤波器和变压器等）集成的关键的技术。借助LTCF技术,很多新型结构的无源元件已研制出来,因其具有众多优点而满足了现代电子系统数字化和SMT（表面组装）的发展趋势。并已经广泛应用于无线通信设备中。同时低温共烧铁氧体（LTCF）技术作为共性技术必然是MCM（微电子组装）等模块技术的基础。本文论述的多层片式EMI（Electro Magnetic Interference）滤波器的研制技术是在传统滤波器理论的基础上,建立等效电路、通过采用HFSS电磁仿真的方法,在研究构成滤波器的基本无源元件电感（多层螺旋形）和电容（多层垂直交叉型）的基础上对多层片式滤波器设计展开研究。对LTCF多层滤波器三维结构模型进行仿真模拟。主要研究内容:1.结合经典的集总参数元件网络综合法和分布参数传输线理论,给出了新型LTCF多层滤波器的设计方法和原理。另外,研究了不同设计参数对它们的电特性和物理特性的影响,得出了一系列对今后设计有参考价值的规律。如发现LTCF多层三维结构更有利于减小元件面积和提高电性能。2.分别设计出电感值为0.2μH的三维螺旋电感和容量为20nF的电容,它们都具有较高的品质因素。利用HFSS进行EMI滤波器的模型分析,发现关键是建立电感互连结构的模型,根据经典理论,得出理想状态下互连线的模型,使用HFSS里的参数扫描功能将三个参数状态优化,得出最佳设计结果。3.利用LTCF工艺设计和制作出多层片式EMI滤波器,该EMI滤波器的目标是,工作频率在10MHz～1GHz,在该工作频率抑制度为15dB～40dB。该片式滤波器三维结构为5.8×3.2×2.0mm,总共由10层电路层构成。本文提出了LTCF多层片式滤波器完整的设计方法和工艺技术路线。利用上述研究成果,本文应用多层片式EMI滤波器的设计方法和ANSOFT—HFSS设计软件,完成了多层片式EMI滤波器的研制。其测试数据是:耐压200VDc/1min;绝缘1000MΩ;抑制度（频率）17.9dB（10MHz）、24.5dB（20MHz）、47.5dB（100MHz）、45.3dB（1GHz）,电流2A（DC）。测量数据与仿真结果的吻合验证了设计和实现方法的正确性。本文给出的设计方法具有快速、高效的特点,利用此法进行多层片式EMI滤波器的设计,可有效缩短设计周期,降低设计成本。
马满场[9]（2008）在《BaxSr1-xTiO3介质材料掺杂改性及低温烧结研究》文中指出随着电子信息行业及表面贴装技术的快速发展，片式多层陶瓷电容器（Multi-layer Ceramic Capacitor，简称MLCC）正趋向于小型、大容量、低成本、无铅、中高压、高性能化及高频方向发展。中高压MLCC需具有高耐压特性，同时为节能降耗和降低器件制造成本，需满足低温共烧技术（Low Temperature Co-fired Ceramics，简称LTCC）的要求，以便与低成本内电极共烧。因此，开发耐压特性好、烧结温度低、抗还原性瓷料成为当今中高压陶瓷材料的研究热点。钛酸锶钡陶瓷(BaxSr1-xTiO3，简称BST)具有可调的介电性能及较高的耐压特性，是中高压片式多层陶瓷电容器材料的研究热点。目前国内外对BST陶瓷的改性研究主要集中在湿化学制备及铅改性等方面，烧结温度较高，不符合片式多层陶瓷电容器低成本化、无铅化的发展要求。本文正是基于以上要求，选用低纯度原料，采用固相合成法，以具有良好介电性能的BaxSr1-xTiO3（x=0．1）材料为陶瓷介质基料，通过(Nb3／4Li（1／4）)、(Nb2／3Zn1／3)及(Nb1／2Sm1／2)取代B位Ti，制备出无铅、性能优良的中高压片式多层陶瓷电容器材料；在此基础上，采用自制ZnO-B2O3-SiO2玻璃（ZBS）作为烧结助剂，降低BaxSr1-xTiO3陶瓷的烧结温度，实现与金属Ag电极的低温共烧，并研究低温烧结BaxSr1-xTiO3陶瓷的应用技术。本文的主要研究成果如下：（一）Ba0.9Sr0.1TiO3陶瓷烧结特性和介电性能的研究。陶瓷样品在1225℃～1425℃范围内烧结形成四方晶系的钙钛矿结构固溶体。在1225℃～1325℃范围内，随着烧结温度的升高，陶瓷样品致密度逐渐提高，其介电常数、击穿场强和介质损耗得到改善，但在1375℃～1425℃下烧结，容易形成Ti3+，恶化了样品的介电性能。Ba0.9Sr0.1TiO3陶瓷在1325℃保温2h烧结能够获得最佳介电性能为：εr=2354，Eb=10．22kv／mm，tanδ=0．01345，ρ=7．0×109Ω·cm。（二）通过施主—受主离子复合取代B位Ti4+改善Ba0.9Sr0.1TiO3陶瓷的介电性能。(Nb3／4Li（1／4）)、(Nb2／3Zn1／3)及(Nb1／2Sm1／2)分别占据B位取代Ti，均形成钙钛矿结构的BaTiO3基固溶体。同(Nb3／4Li1／4)、(Nb2／3Zn1／3)取代Ti相比，适量的(Nb1／2Sm1／2)取代Ti提高了Ba0.9Sr0.1TiO3系陶瓷的击穿场强、绝缘电阻率，且减小了介电损耗。当取代量为x=0．04时，Ba0.9Sr0.1(Nb1/2Sm1/2)0．04Ti0．96O3陶瓷在1510℃保温2h烧结可获得最佳介电性能：εr=6168，tanδ=0．0024，Eb=14．3kv／mm，ρ=3．0×1012Ω·cm。（三）添加自制ZBS玻璃烧结助剂降低Ba0.9Sr0.1TiO3系陶瓷的烧结温度。添加ZBS玻璃能有效降低Ba0.9Sr0.1(Nb1／2Sm1／20.04Ti0.96O3陶瓷（简称BSNST）的烧结温度，当添加量不低于5wt％时，可使BSNST陶瓷烧结温度降至925℃以下，且介电性能随ZBS玻璃添加量的增加而有所下降。综合烧结特性和介电性能，添加5wt％ZBS的BSNST陶瓷在925℃保温2h烧结，获得最佳介电性能：εr=2695，Eb=10．19kv／mm，tanδ=0．01265，ρ=1．0×1011Ω·cm。此外，低烧BSNST陶瓷材料与Ag电极具有良好共烧界面，无明显扩散反应现象，是一种极具潜力的LTCC陶瓷材料，具有广阔的应用前景。
许英伟,庄志强[10]（2008）在《中高压陶瓷电容器研究与发展》文中研究说明阐述了中高压陶瓷电容器研究状况及发展。主要讨论了陶瓷介质材料和结构,并指出了中高压陶瓷电容器制造工艺需要注意的问题。
二、电容器在数字家电中的应用（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、电容器在数字家电中的应用（论文提纲范文）
（1）低损耗铌酸盐系微波介质材料低温烧结与性能调控研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 研究背景 |
| 1.2 微波介质陶瓷材料分类及研究现状 |
| 1.2.1 低介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.2 中介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.2.3 高介电常数微波介质陶瓷 |
| 1.3 微波介质材料在电路中的应用 |
| 1.4 LTCC技术及微波介质陶瓷低温共烧 |
| 1.5 选题意义和主要研究内容 |
| 第二章 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷结构与性能关系研究 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 CuO取代ZnZrNb_2O_8样品制备及表征 |
| 2.3 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷微结构分析 |
| 2.4 CuO取代ZnZrNb_2O_8陶瓷化学键理论计算 |
| 2.5 CuO取代ZnZrNb_2O_8性能研究 |
| 2.6 本章小结 |
| 第三章 低温烧结ZnZrNb_2O_8陶瓷结构及微波介电性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷制备及表征 |
| 3.3 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷微结构研究 |
| 3.4 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷微波介电性能研究 |
| 3.5 LBBS掺杂ZnZrNb_2O_8陶瓷与银共烧研究 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 A/B位离子调控Li_3Mg_2NbO_6陶瓷结构及介电性能研究 |
| 4.1 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷结构及介电性能研究 |
| 4.1.1 引言 |
| 4.1.2 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷制备与表征 |
| 4.1.3 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷微结构分析 |
| 4.1.4 非计量比Li_(3+x)Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.2 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能研究 |
| 4.2.1 引言 |
| 4.2.2 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷制备及表征 |
| 4.2.3 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微结构分析 |
| 4.2.4 Cu~(2+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.3 Ta~(5+)离子取代增强Li_3Mg_2NbO_6陶瓷微波介电性能研究 |
| 4.3.1 引言 |
| 4.3.2 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷制备及表征 |
| 4.3.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷微结构分析 |
| 4.3.4 Li_3Mg_2Nb_(1-x)Ta_xO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 低温烧结Li_3Mg_2NbO_6陶瓷结构与微波介电性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 样品制备及表征 |
| 5.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷低温烧结 |
| 5.3.1 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷结构分析 |
| 5.3.2 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷微波介电性能分析 |
| 5.3.3 Li_3Mg_2Nb_(1-x)V_xO_6陶瓷与银共烧研究 |
| 5.4 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷低温烧结研究 |
| 5.4.1 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷结构分析 |
| 5.4.2 Li_3Mg_2NbO_6+LiF陶瓷微波介电性能分析 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 基于Li_3Mg_2Nb O_6材料的5G通信用带通滤波器研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 LTCC工艺研究 |
| 6.3 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用带通滤波器设计与实现 |
| 6.3.1 交指型滤波器基础理论 |
| 6.3.2 带通滤波器指标 |
| 6.3.3 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用带通滤波器设计 |
| 6.3.4 基于Li_3Mg_2NbO_6材料的5G通信用带通滤波器制作及测试 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 全文总结与展望 |
| 7.1 主要结论及创新点 |
| 7.2 有待深入研究的问题 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 |
（2）我国电子陶瓷技术发展的战略思考（论文提纲范文）
| 一、前言 |
| 二、国际电子陶瓷产业技术发展现状与趋势 |
| （一）多层陶瓷电容器（MLCC）产业 |
| （二）片式电感器产业 |
| （三）高性能压电陶瓷产业 |
| （四）微波介质陶瓷产业 |
| （五）半导体陶瓷产业 |
| 三、我国电子陶瓷材料与元器件的发展现状 |
| （一）MLCC产业 |
| （二）片式电感器产业 |
| （三）高性能压电陶瓷产业 |
| （四）微波介质陶瓷产业 |
| （五）半导体陶瓷产业 |
| 四、电子陶瓷材料重大技术需求分析 |
| 五、我国电子陶瓷产业发展面临的主要问题 |
| （一）社会重视程度严重不足 |
| （二）研究成果转化机制有待完善 |
| （三）国内产业链对自主创新的支撑不完善 |
| （四）规模化生产工艺装备水平有待提高 |
| 六、电子陶瓷产业发展的战略目标和路径 |
| （一）总体思路 |
| （二）战略目标 |
| （三）重点发展方向 |
| 1. 新一代电子陶瓷元件与材料 |
| 2. 无源集成模块及关键材料与技术 |
| 七、政策建议 |
（3）PVDF基复合介质膜的储能特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 介电材料 |
| 1.2.1 介电材料概述 |
| 1.2.2 介电材料的极化机理 |
| 1.2.3 介电材料的基本性能参数及其影响因素 |
| 1.3 介电材料的分类 |
| 1.3.1 介电陶瓷材料 |
| 1.3.2 聚合物材料 |
| 1.3.3 PVDF基复合材料 |
| 1.4 PVDF基复合介电材料的研究现状 |
| 1.4.1 聚合物基体改性 |
| 1.4.2 填料掺杂及改性 |
| 1.4.3 全有机复合 |
| 1.5 本论文的研究意义、研究内容及创新点 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 研究内容 |
| 1.5.3 创新点 |
| 第二章 研究方法与研究方案 |
| 2.1 研究难点 |
| 2.2 PVDF基复合介质膜的制备方法 |
| 2.2.1 溶液共混法 |
| 2.2.2 熔融法 |
| 2.2.3 热压法 |
| 2.3 PVDF基复合介质膜研究方案 |
| 2.3.1 实验原料及设备 |
| 2.3.2 实验流程及测试方法 |
| 第三章 P(VDF-HFP)薄膜的制备及其工艺优化 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 溶剂对P(VDF-HFP)薄膜储能特性的影响 |
| 3.2.1 不同溶剂结晶的P(VDF-HFP)薄膜制备 |
| 3.2.2 不同溶剂结晶的P(VDF-HFP)薄膜表征 |
| 3.2.3 不同溶剂结晶的P(VDF-HFP)薄膜储能特性 |
| 3.3 溶液浓度对P(VDF-HFP)薄膜储能特性的影响 |
| 3.3.1 不同溶液浓度P(VDF-HFP)薄膜制备 |
| 3.3.2 不同溶液浓度P(VDF-HFP)薄膜表征 |
| 3.3.3 不同溶液浓度P(VDF-HFP)薄膜储能特性 |
| 3.4 驱溶温度对P(VDF-HFP)薄膜储能特性的影响 |
| 3.4.1 不同驱溶温度的P(VDF-HFP)薄膜制备 |
| 3.4.2 不同驱溶温度的P(VDF-HFP)薄膜表征 |
| 3.4.3 不同驱溶温度的P(VDF-HFP)薄膜储能特性 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 P(VDF-HFP)/BaTiO_3复合薄膜的储能特性研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 P(VDF-HFP)/BaTiO_3复合薄膜的制备及其性能测试 |
| 4.2.1 多巴胺改性BaTiO_3 |
| 4.2.2 P(VDF-HFP)/BT@DPA复合薄膜制备 |
| 4.2.3 P(VDF-HFP)/BT@DPA复合薄膜表征 |
| 4.2.4 P(VDF-HFP)/BT@DPA复合薄膜储能特性 |
| 4.3 P(VDF-HFP)/BT@DPA渐变结构复合材料的制备及其性能测试 |
| 4.3.1 P(VDF-HFP)/BT@DPA渐变结构复合材料制备 |
| 4.3.2 P(VDF-HFP)/BT@DPA渐变结构复合材料表征 |
| 4.3.3 P(VDF-HFP)/BT@DPA渐变结构复合材料储能特性 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 P(VDF-HFP)/BaTiO_3/BNNSs三明治结构复合薄膜的制备及其性能测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 氮化硼纳米片(BNNSs)制备 |
| 5.2.1 BNNSs制备 |
| 5.2.2 BNNSs表征 |
| 5.3 P(VDF-HFP)/BNNSs/P(VDF-HFP)三明治结构复合薄膜制备及测试 |
| 5.3.1 PBP复合薄膜制备及测试 |
| 5.3.2 BNNSs浓度对复合薄膜的影响 |
| 5.4 PBP/BT@DPA三明治结构复合薄膜制备及测试 |
| 5.4.1 流延法制备PBP/BT@DPA三明治结构复合薄膜 |
| 5.4.2 PBP/BT@DPA复合薄膜表征 |
| 5.4.3 PBP/BT@DPA复合薄膜储能特性 |
| 5.5 本章小结 |
| 第六章 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 |
（4）私募股权投资价值评价及决策研究 ——以投资GH公司为例（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 选题背景及研究意义 |
| 1.2 研究对象和研究内容 |
| 1.3 研究方法和技术路线 |
| 第2章 文献综述和基本理论 |
| 2.1 国内和国外股权投资研究现状 |
| 2.2 私募股权投资相关理论 |
| 2.2.1 私募股权投资的概念 |
| 2.2.2 私募股权投资过程中的估值分析方法 |
| 2.2.3 私募股权投资的退出方式 |
| 第3章 GH公司股权投资内外部环境分析 |
| 3.1 目标企业简介 |
| 3.1.1 GH公司概况 |
| 3.1.2 投资背景 |
| 3.2 宏观环境及行业研究 |
| 3.2.1 宏观环境 |
| 3.2.2 行业发展特征 |
| 3.2.3 行业市场分析 |
| 3.2.4 GH公司在行业中的优、劣势分析 |
| 3.3 GH公司运营评价 |
| 3.3.1 内部管理分析 |
| 3.3.2 主要产品和生产能力分析 |
| 3.3.3 经营现状分析 |
| 3.3.4 财务评价 |
| 第4章 GH公司股权投资项目估值分析 |
| 4.1 资产评估法 |
| 4.2 市场估值法 |
| 4.3 DCF估值法 |
| 第5章 GH公司股权投资方案及收益分析 |
| 5.1 项目投资方案分析 |
| 5.1.1 项目投资方案 |
| 5.1.2 项目投资风险控制 |
| 5.1.3 项目投资退出分析 |
| 5.2 项目投资收益分析 |
| 5.2.1 项目持有收益 |
| 5.2.2 IPO退出收益 |
| 5.3 投资决策 |
| 第6章 结论 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 卷内备考表 |
（5）脉宽双加矩型加速度传感器技术研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 课题研究背景 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 石英挠性加速度传感器国内外研究现状 |
| 1.2.2 加速度传感器数字脉冲加矩再平衡技术国内外研究现状 |
| 1.3 课题研究内容和意义 |
| 1.3.1 课题研究内容 |
| 1.3.2 课题研究意义 |
| 2 系统总体方案设计与误差分析 |
| 2.1 系统总体方案 |
| 2.1.1 差分电容信号检测及信号调理模块 |
| 2.1.2 数据转换及数字控制器模块 |
| 2.1.3 脉冲加矩模块 |
| 2.2 系统误差分析 |
| 2.2.1 脉冲加矩再平衡回路的精度问题 |
| 2.2.2 差分电容检测电路误差分析 |
| 2.2.3 数据转换电路及数字控制器误差分析 |
| 2.2.4 脉冲加矩反馈回路误差分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 3 高精度恒流源系统设计 |
| 3.1 恒流源系统选型分析 |
| 3.1.1 恒流源的基本类型 |
| 3.1.2 连续闭环反馈调整型恒流源选型 |
| 3.2 串联反馈型恒流源系统误差分析 |
| 3.3 高稳定性恒流源系统设计 |
| 3.4 本章小结 |
| 4 双路恒流源信号加矩系统设计 |
| 4.1 加矩电路拓扑结构的设计与选型 |
| 4.1.1 同步加矩H桥拓扑结构 |
| 4.1.2 交错加矩H桥拓扑结构 |
| 4.2 双路恒流源信号加矩方案与仿真 |
| 4.3 力矩器感性网络补偿方案 |
| 4.4 本章小结 |
| 5 系统模型分析与系统控制策略研究 |
| 5.1 系统模型分析与建立 |
| 5.2 系统控制策略分析 |
| 5.3 系统控制量分离及PWM波量化方法 |
| 5.4 本章小结 |
| 6 二元调宽脉冲双加矩加速度传感器实验验证 |
| 6.1 调试与测试系统搭建 |
| 6.2 恒流源系统输出信号采集与分析 |
| 6.3 脉冲双加矩电流分辨率实验 |
| 6.4 二元调宽脉冲双加矩加速度传感器系统性能分析 |
| 6.4.1 二元调宽脉冲双加矩控制算法性能测试 |
| 6.4.2 1g稳定输入状态下系统控制脉宽以及力矩器信号波形测试 |
| 6.4.3 加速度传感器系统稳定性测试 |
| 6.5 本章小结 |
| 7 总结与展望 |
| 7.1 总结 |
| 7.2 展望 |
| 参考文献 |
（6）基于PEBB的微电网无功补偿装置研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 微电网中无功功率产生的原因及影响 |
| 1.1.1 微电网的概念 |
| 1.1.2 微电网中无功功率产生的原因 |
| 1.1.3 微电网中无功功率的影响 |
| 1.2 微电网中无功补偿意义及研究现状 |
| 1.2.1 微电网无功补偿意义 |
| 1.2.2 无功补偿的研究现状 |
| 1.2.3 微电网无功补偿的特点 |
| 1.3 PEBB在微电网无功补偿中的应用 |
| 1.3.1 PEBB的概述 |
| 1.3.2 基于PEBB的微电网无功补偿装置优点 |
| 1.4 论文选题背景及章节安排 |
| 第2章 微电网无功补偿装置的数学模型与主电路设计 |
| 2.1 DSTATCOM的拓扑与基本原理 |
| 2.1.1 DSTATCOM的主电路结构 |
| 2.1.2 DSTATCOM的基本原理 |
| 2.2 DSTATCOM的数学模型 |
| 2.3 基于PEBB的DSTATCOM主电路设计 |
| 2.3.1 直流侧电容选择及充电回路设计 |
| 2.3.2 功率开关器件选型 |
| 2.3.3 交流滤波器的设计 |
| 2.4 本章小结 |
| 第3章 微电网无功补偿装置控制策略研究 |
| 3.1 DSTATCOM的直流侧控制方法 |
| 3.2 DSTATCOM无功补偿控制策略 |
| 3.3 DSTATCOM谐波治理控制策略 |
| 3.3.1 微电网谐波电流产生原因 |
| 3.3.2 谐波补偿控制方法 |
| 3.3.3 基于PR的谐波电流控制策略 |
| 3.4 无功与谐波综合治理及仿真验证 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 微电网无功补偿控制系统设计及实验验证 |
| 4.1 基于DSP+FPGA的控制器设计 |
| 4.2 控制系统的硬件设计 |
| 4.2.1 信号采集模块 |
| 4.2.2 IGBT驱动模块 |
| 4.2.3 电源模块 |
| 4.2.4 保护模块 |
| 4.2.5 人机交互模块 |
| 4.3 控制系统的软件设计 |
| 4.3.1 FPGA软件设计 |
| 4.3.2 DSP软件设计 |
| 4.3.3 人机交互软件设计 |
| 4.4 工程化技术研究 |
| 4.4.1 散热设计 |
| 4.4.2 电磁兼容设计 |
| 4.4.3 机械结构设计 |
| 4.5 实验验证 |
| 4.5.1 无功补偿实验 |
| 4.5.2 谐波治理实验 |
| 4.6 本章小结 |
| 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 攻读学位期间取得的研究成果 |
| 致谢 |
（7）数字控制的BuckDC-DC变换器研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 1 绪论 |
| 1.1 选题背景和研究意义 |
| 1.1.1 开关电源技术的产生 |
| 1.1.2 大电容技术 |
| 1.1.3 数字控制开关电源的重要性及意义 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 DC-DC 变换器的发展现状 |
| 1.2.2 DC-DC 变换器控制方法的现状 |
| 1.2.3 DC-DC 变换器的发展方向 |
| 1.3 本文主要研究内容 |
| 2 Buck DC-DC 变换器稳态分析 |
| 2.1 Buck 型变换器的基本结构 |
| 2.2 Buck 型变换器的工作原理 |
| 3 电容储能的自动化终端备用开关电源的设计 |
| 3.1 系统电路的组成及原理 |
| 3.2 电路的参数及元件设计 |
| 3.2.1 变换器的下限工作电压 |
| 3.2.2 工作储能电容器容量设计 |
| 3.2.3 输出电容器容量设计 |
| 3.2.4 其他参数的设计 |
| 3.2.5 变换器元件的选择 |
| 3.3 系统电路实验及结果分析 |
| 3.4 结论 |
| 4 电流跟踪数字控制的buck DC-DC 变换器设计 |
| 4.1 系统电路的理论设计 |
| 4.1.1 系统电路的基本组成 |
| 4.1.2 电路的基本控制原理 |
| 4.1.3 电路分析 |
| 4.1.4 参数选择和设计考虑 |
| 4.2 控制系统的设计 |
| 4.2.1 控制器电路原理图 |
| 4.2.2 处理器芯片的选择 |
| 4.2.2 电源电路 |
| 4.2.3 复位电路 |
| 4.2.4 系统时钟电路 |
| 4.2.5 JTAG 接口电路 |
| 4.2.6 串口接口电路 |
| 4.2.7 MOSFET 驱动电路设计 |
| 4.2.8 电流采样 |
| 4.3 系统电路的软件设计 |
| 4.3.1 ADS1.2 简介 |
| 4.3.2 ADC 信号采集的设计 |
| 4.4 系统电路的仿真 |
| 4.4.1 MATLAB/Simulink 的简介 |
| 4.4.2 主电路的仿真设计 |
| 4.4.3 仿真结果及其分析 |
| 4.5 系统电路的试验及结果分析 |
| 4.6 结论 |
| 5 结论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 |
（8）多层片式EMI滤波器的研制（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 低温共烧铁氧体(LTCF)技术简介 |
| 1.3 EMI技术简介 |
| 1.4 多层片式滤波器简介 |
| 1.5 技术指标 |
| 1.6 LTCF技术的发展趋势 |
| 1.7 主要研究内容及结构体系 |
| 第二章 低温共烧铁氧体(LTCF)技术 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 LTCF技术的发展 |
| 2.3 LTCF的技术关键 |
| 2.4 LTCF的主要应用领域 |
| 2.5 LTCF制造工艺 |
| 2.6 展望 |
| 第三章 LTCF多层片式电感和电容的设计 |
| 3.1 多层片式电感的设计 |
| 3.2 多层片式电容的设计 |
| 第四章 多层片式EMI滤波器设计 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 滤波器的发展 |
| 4.3 滤波器的分类 |
| 4.4 滤波器的主要技术指标 |
| 4.5 低通原型滤波器理论 |
| 4.6 EMI滤波器电路原理 |
| 4.7 滤波器电路设计 |
| 4.8 多层片式滤波器仿真设计 |
| 4.9 滤波器电路仿真和优化 |
| 4.10 小结 |
| 第五章 多层片式滤波器的制做 |
| 5.1 工艺研究路线 |
| 5.2 流延工艺研究 |
| 5.3 内部电极的层间连接和表面贴装结构处理技术 |
| 5.4 片式复合材料匹配烧结技术 |
| 5.5 表面贴装结构设计及测试技术 |
| 第六章 结论与展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 攻读学位期间取得的成果 |
（9）BaxSr1-xTiO3介质材料掺杂改性及低温烧结研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 片式多层陶瓷电容器 |
| 1.3 中高压多层陶瓷电容器 |
| 1.4 Ba_xSr_(1-x)TiO_3系介质材料研究现状 |
| 1.5 立题依据及实验内容 |
| 第2章 实验过程及方法 |
| 2.1 样品制备 |
| 2.2 样品测试 |
| 第3章 Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3陶瓷的烧结性能与介电性能 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3陶瓷的烧结性能 |
| 3.3 Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3陶瓷的介电性能 |
| 3.4 本章小结 |
| 第4章 B位取代对Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3陶瓷性能的影响 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Ba_(0.9)Sr_(0.1)(Nb_(3/4)Li_(1/4))_xTi_(1-x)O_3陶瓷材料的烧结性能和介电性能 |
| 4.3 Ba_(0.9)Sr_(0.1)(Nb_(2/3)Zn_(1/3))_xTi_(1-x)O_3陶瓷材料的烧结性能和介电性能 |
| 4.4 Ba_(0.9)Sr_(0.1)(Nb_(1/2)Sm_(1/2))_xTi_(1-x)O_3陶瓷材料的烧结性能和介电性能 |
| 4.5 本章小结 |
| 第5章 低温烧结Ba_(0.9)Sr_(0.1)TiO_3系陶瓷 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 烧结助剂分析 |
| 5.3 实验结果与讨论 |
| 5.4 低烧BST陶瓷的应用研究 |
| 5.5 本章小结 |
| 第6章 全文总结 |
| 参考文献 |
| 作者简介 |
四、电容器在数字家电中的应用（论文参考文献）
- [1]低损耗铌酸盐系微波介质材料低温烧结与性能调控研究[D]. 王刚. 电子科技大学, 2021(01)
- [2]我国电子陶瓷技术发展的战略思考[J]. 周济,李龙土,熊小雨. 中国工程科学, 2020(05)
- [3]PVDF基复合介质膜的储能特性研究[D]. 陈富佳. 电子科技大学, 2020(07)
- [4]私募股权投资价值评价及决策研究 ——以投资GH公司为例[D]. 黄东. 华东理工大学, 2018(08)
- [5]脉宽双加矩型加速度传感器技术研究[D]. 朱灿. 浙江大学, 2017(08)
- [6]基于PEBB的微电网无功补偿装置研制[D]. 周娟. 湖南大学, 2015(03)
- [7]数字控制的BuckDC-DC变换器研究[D]. 王立. 西安科技大学, 2010(05)
- [8]多层片式EMI滤波器的研制[D]. 周平章. 电子科技大学, 2009(11)
- [9]BaxSr1-xTiO3介质材料掺杂改性及低温烧结研究[D]. 马满场. 浙江大学, 2008(09)
- [10]中高压陶瓷电容器研究与发展[J]. 许英伟,庄志强. 陶瓷学报, 2008(01)