一、Fabrication of Variable Optical Attenuator With Low Insertion Loss（论文文献综述）
黄灿[1]（2021）在《镧掺杂锆钛酸铅体系介电材料的电光效应机制和储能性能调控》文中研究指明随着现代光通信领域的迅速发展,对光通信技术和器件提出了越来越高的要求,甚至提出了未来光通信实行全光系统的愿景。光交换器件是全光系统中最关键的器件,依赖高速电子组件作交换或路由等处理的机械式光开关器件端口少、响应速度慢、集成度低,传统的电光材料,如铌酸锂,电光系数小、半波电压高,无法满足未来全光通信的应用要求。为了解决这一难题,本研究以掺镧锆钛酸铅（PLZT）电介质材料为研究对象,通过调控成分和制备工艺研制出具有优良电光效应的PLZT薄膜电介质材料,并阐明了其产生电光效应的机制。PLZT电介质材料除了具有大的二次电光系数、光学性能优良外,还具有优异的介电性能。PLZT陶瓷粒子通过与聚偏氟乙烯（PVDF）复合,可得到柔性好、储能密度大的电介质材料,满足电子元器件轻量化、微型化的需求。本研究合成了零维（0D）、一维（1D）和二维（2D）的PLZT填料,采用流延法制备了不同维度PLZT填料的PLZT/PVDF复合薄膜,系统研究了其介电性和储能性能。并通过理论模型,解释了不同维度的PLZT填料对复合薄膜介电性的影响。主要研究内容和结论如下:（1）以PLZT（9/65/35）为研究对象,采用微波烧结实现了PLZT陶瓷的低温快速烧结,降低了烧结温度200°C,将保温时间从3 h降低到20 min。微波烧结制备的PLZT陶瓷更加致密、均匀,晶粒尺寸细小,晶界明显,孔隙率较小。为解决Zr4+和Ti4+的扩散能力较低,且难以在分子水平上均匀混合的问题,通过采取部分共沉淀法制备PLZT粉体,改善了PLZT原料粉体的烧结活性。制备的PLZT（9/65/35）陶瓷相对密度达到96.5%,相对介电常数εr为3895,介电损耗tanδ为0.029,透明度高,其透光率为53.8%。（2）为进一步提高PLZT透光性,采用等离子体退火方法制备出了表面平整、光滑、均匀、无裂纹的PLZT薄膜,其最高透光率为89.2%。通过La掺杂量的变化,探究了La掺杂引入的缺陷对PLZT（x/65/35）薄膜性能的影响机制。当La含量为9%时,PLZT（9/65/35）薄膜的电滞回线表现出二次型特征,具有纤细的电滞回线和较低的剩余极化强度（18.2μC/cm2）。薄膜的光学性能好,吸收系数接近于0,禁带宽度大（～3.6 e V）。设计了PLZT薄膜光波导,光波导的插入损耗小于5 d B。（3）为提高PLZT薄膜的光学性能和二次电光性能,采用改进的溶胶-凝胶法,通过多层旋涂和层层等离子退火工艺在ITO/Si O2导电玻璃基底上制备了高质量、性能优异的PLZT（x/65/35）薄膜。该工艺消除了层间热应力,减少了每层薄膜之间的缺陷。薄膜的结构特征显示了（110）择优取向,最高透光率为93.8%,表面粗糙度约为1 nm。对二次电光效应测试系统进行了改进,简化了光路结构,得到了薄膜的二次电光系数,通过该系统获得制备的PLZT电光薄膜的最大二次电光系数为3.54×10-15 m2/V2。基于优异的二次电光效应制备出PLZT电光调制器,该调制器的插入损耗小,3 d B带宽约为65 GHz,其半波电压VπL为7.4 V·cm,有望应用于未来全光通讯系统中,实现电压快速切换光信号或进行光信号的调制。利用压电响应力显微镜（PFM）技术,研究了内部铁电畴随着外加电场转向变化的过程,结果表明:在电场作用下,90°畴的运动和转向影响了PLZT薄膜的压电响应并决定其二次电光系数的大小,材料内部90°畴区域越多,压电和电光效应越强。（4）采用溶液流延法制备了不同体积分数PLZT填料的PLZT/PVDF复合薄膜,陶瓷填料粒子PLZT的加入有效地提高了复合薄膜的介电常数,使介电常数从纯PVDF膜的8.0增大到12.03,得到了能量密度为7.18 J/cm3的PLZT/PVDF复合薄膜。制备了不同维度的PLZT填料,通过表面改性的方式改善了陶瓷填料粒子与高分子的相容性,得到了不同填料维度的PLZT/PVDF复合膜。通过改进拓展Maxwell-Garnet理论模型,推导得到不同维度填料复合材料的介电模型,并根据该模型计算了不同维度PLZT填料复合薄膜的介电常数,其结果与实际吻合较好。随着填料维度的增加,复合薄膜表现出更加优异的介电和储能性能,其中2D的PLZT填料制备的PLZT/PVDF复合薄膜的介电常数最大,为19.76,储能密度也最大,达到13.86 J/cm3。
陈菲[2]（2019）在《聚合物分散液晶的制备、电光特性及应用研究》文中研究指明聚合物分散液晶（PDLC）是液晶微滴分散在聚合物基体中形成的一种性能优异的电光材料,相比于传统液晶器件,PDLC器件具有无需偏振片、工艺简单、易于控制和经济等优点,因而,PDLC器件在电光器件领域具有广泛的应用。PDLC的电光特性对基于PDLC的电光器件的性能具有显着影响,本文制备了基于PDLC的光衰减器,并对其电光特性进行了研究;在此基础上,研究了PDLC的材料配比和制备工艺对其电光性能的影响,旨在为制作不同性能的基于PDLC可变光衰减器提供实验和理论依据。本文使用聚合物诱导相分离法制备了PDLC,并搭建了测试光路,用其实验研究了PDLC的电光特性,结果表明:聚合物分散液晶的透过率会随着电压上升而上升,改变入射光角度,会明显改变PDLC的透过率,入射光角度越大,PDLC的透过率越低;目标电压越大,PDLC开态响应时间越小;初始电压越大,关态响应时间越大;随着电压的增大,PDLC的迟滞效应更明显。在此基础上,本文研究了不同材料配比和紫外固化光强对PDLC电光特性的影响,结果表明:随着PDLC中的聚合物比例的上升,PDLC内部形成的液晶微滴尺寸更小,PDLC更加均匀致密,对应的,PDLC的对比度上升,阈值电压和饱和电压也随之上升,开态响应时间随之增大而关态响应时间随之减小,迟滞则会随着聚合物比例的增大变得更加明显;基于PDLC的可变光衰减器则会随着聚合物比例的增大有更小的最小插入损耗和更大的衰减范围;随着紫外固化光强的增大,制备出的PDLC内部的液晶微滴尺寸减小,阈值电压和饱和电压增大,对比度明显上升,开态响应时间上升而关态响应时间下降,迟滞效应也更加明显;基于PDLC的可变光衰减器的最小插入损耗会随着紫外固化光强的增大而减小,衰减范围则会随之增大。本研究表明可以通过改变制备PDLC的材料配比和制备工艺来优化PDLC的电光特性,从而获得不同性能的基于PDLC的可变光衰减器。
于跃洋[3]（2017）在《聚合物平面光波导热光器件及其稳定性研究》文中认为在光纤通信系统中,各种大容量、高速度、低损耗、高可靠性的光电子器件被广泛地应用,其中,平面光波导型的器件正越来越被重视,并成为近年来新的研究热点。基于热光效应的波导光开关和可变光衰减器也正在从实验室走向实际应用,这两种器件也是光插分复用器和光交叉连接器的核心元件,在光纤网络中能够实现波分复用/解复用、自动保护倒换、光功率均衡、在线监测等功能。光波导型热光器件由于具有尺寸小、结构紧凑、易与其它波导器件集成以及长期稳定性好等许多优点而引起了人们极大的兴趣,波导型热光器件的指标如插入损耗、串扰,热光开关的开关响应时间和可变光衰减器的最大衰减量等特性参数也能够满足实际应用领域的要求,因而受到国内外研究者的广泛的关注。聚合物光波导具有低损耗、无电磁干扰和易于制备等优点,特别是由于聚合物材料具有更低的热导率,和聚合物光纤具有的良好的兼容性,因此聚合物热光开关可以作为一种信号分配器应用于可见光通信系统中。通过旋涂工艺可以制作多层的薄膜,实现三维光波导器件的集成。本文采用聚合物材料,设计、制备了两种工作于650nm波段的热光器件:热光开关器件和可变光衰减器件,同时对波导型热光开关器件的长期稳定性进行了系统深入的研究。论文开展的创新性工作如下:1、提出并系统研究了一种基于650 nm波段的垂直耦合结构的三维聚合物热光开关器件,光可以在两层垂直方向的波导中相互耦合,两个垂直方向的光波导器件位于相互平行的两层聚合物材料中。通过热电极的作用,可以控制光从上层波导或从下层波导中输出。通过有限元法和光束传播法来优化器件的结构尺寸。本论文制作了两个具有一定角度的矩形波导分别位于平行的两层聚合物结构中。通过精确的波导尺寸和相对位置的设计,这种垂直结构的耦合器可以作为开关和光学阵列使用,对于在同一片芯片上制作高集成度的器件提供了基础。聚合物材料用的是与塑料光纤相兼容的P（MMA-GMA）材料,当电极工作时,产生了温度梯度并引起了电极下方波导有效折射率的变化,进而下层波导中的光将被耦合到上层波导中。制备的热光开关器件在电功耗为57.7 m W时,可以达到高达27.5 d B的消光比,其中器件的上升和下降时间分别为639.8μs和758.2μs。我们连续测量了125天下开关的消光比,证明器件具有良好的稳定性。这种三维的波导结构证明了多层的光学印刷器件可以应用于光通讯网络中并且增加了光学通信器件的功能性。2、设计和制作了一种工作在650nm波段的基于聚合物/二氧化硅材料多模干涉的可变光衰减器件。可见光衰减器是一种重要的器件,该器件可以被应用在塑料光纤交叉连接波分复用网络中参与调节不同光通道之间的能量和使之均等化。器件的模式传输条件、多模干涉区尺寸的设计和锥口的设计采用有限元分析法。热场的分析是基于材料的性质,并给出了器件优化后的电极角度。设计并制作的器件在650nm波段下,功耗21m W时,消光比为26.5d B,其中器件的响应时间（上升和下降时间）分别为51.99μs和192μs。时间稳定性测量结果表明器件在具有良好的开关稳定性。3、选用PMMA基材料和紫外曝光交联型材料（SU8）以及MZI光波导结构,设计并制备了三十余个聚合物平面光波导热光开关器件,详细研究了芯片的切、磨、抛工艺以及器件的封装技术。封装后的器件分成两组:一组进行了室温下长时间的性能测试,时间间隔为1-3个月,一般器件测试时间在一年以上,室温下测试器件的最长时间为680天,测试结果表明插入损耗的最大变化量为15%;第二组进行温度循环实验,循环条件是-40℃到+85℃,其中-40℃停留25分钟,上升时间45分钟,+85℃停留24分钟,下降时间50分钟,循环周期144分钟,将封装的热光开关分别进行2小时以及168小时的循环后进行性能测试,测试结果表明器件的插入损耗最大变化量为18%。两组实验的结果表明,制备的热光器件的主要性能指标都具有非常好的时间稳定性和可靠性。
思亮[4]（2013）在《基于MEMS的可变光衰减器的设计与制作》文中研究表明光通信技术经过30多年发展,技术的重大进步使光网络逐渐向全光网发展。波分复用器（WDM）,掺铒光纤放大器（EDFA）等器件在光网中起着重要的作用,网络的规模扩大要求加强对网络的管理与控制,上述器件及光网络的正常运行需要一重要器件光衰减器（VOA）来均衡光路中的光功率。VOA是一种应用范围广,功能重要的光通信无源器件。相对于传统的机械式光衰减器,微机电系统（MEMS）器件因其体积小、功耗低、易于大批量生产和大规模集成,目前已成为世界各国研究发展的热门器件。本文主要工作：参与设计并制作一种基于MEMS的可变光衰减器,拥有体积小、插入损耗小、哀减范围大、功耗低及易于集成等优点。对器件光学结构及其核心器件——球面透镜（C-lens）及准直器进行了参数分析,对整个系统的光路传输进行推导计算,选定制作材料,设计生产封装尺寸针对目前MEMS器件加工及封装困难等问题,进行大量实验,设计一套完整有效的制作工艺。选择相应设备,建立了一套完整的调试与测试系统,同时解决生产中的调试与性能参数测试的问题。最后对成品的测试表明,该设计与制作方案可行,所制作MEMS VOA达到设计参数指标。
戚伟[5]（2009）在《砷化镓载流子注入型光开关的研究》文中研究说明作为光纤通信网络的关键光器件之一,光开关及其阵列一直是研究与开发的重点,要实现光分组交换层次上的高速全光通信,高速光开关及其阵列是必不可少的关键器件。基于各种物理效应和原理与技术,已经研制出了多种光开关,这些光开关在消光比、损耗、偏振依赖等性能方面都已经部分达到相当好的水平。然而要实现纳秒乃至更高速率的光开关,并且同时具备其它完善特性,却一直没有很好的解决方案。GaAs、InP等Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中的载流子注入效应所能够产生的折射率变化比电光效应高两个数量级,而且与偏振无关。采用载流子注入效应的光开关,其开关速度主要取决于载流子的寿命,可以达到100皮秒（ps）量级。GaAs材料具有相对低廉的成本优势,而且器件制作兼容GaAs微电子工艺,因此GaAs载流子注入型光开关有望成为实现纳秒级高速光开关的重要途径之一。在国家自然科学基金重点项目支持下,本课题主要研究1.55μm GaAs载流子注入型光开关单元器件及其阵列。针对载流子注入型器件制作工艺特点,重点开展了GaAs载流子注入型光开关器件的制作工艺研究。通过对基本制作工艺的摸索,成功掌握GaAs载流子注入型器件的制作工艺并成功研制出两种2×2 GaAs载流子注入型光开关单元器件。本论文具有创新性意义的工作主要体现在三个方面:1、针对芯层较厚的外延材料提出了两步腐蚀的制作方法,该方法具有工艺简单、对设备要求低的特点。使用该工艺流程对载流子注入型器件的制作进行了初步探索,成功研制出2×2多模干涉（MMI）型光开关,开关工作电流为160mA。采用氧离子注入隔离的方法,对控制载流子注入侧向扩散问题进行了研究。2、采用多模干涉-马赫曾德尔（MMI-MZ）结构研制了GaAs载流子注入型光开关,其制作工艺避开了全内反射型等结构光开关制作工艺中的离子注入等技术难题。制作该结构器件仅需三次光刻,有效降低了多次套刻误差对器件性能的影响。设计并成功制作了2×2MMI-MZ型光开关,电极长度仅为100μm,在注入电流80mA时器件的消光比超过了25dB,且在1542-1562nm波段具有平坦的偏振不敏感响应;初步测试判断开关的上升、下降沿均在10ns以内。3、利用S弯曲结构、多模干涉结构以及W型五层平板波导分别设计分析了可变光衰减器（VOA）,讨论了扩展锥形过渡波导对传输相位的影响;采用这些VOA结构与光开关集成可以进一步提高光开关的消光比性能,已在聚合物材料热光开关器件上得到验证,并基于GaAs材料进行了VOA与分束器功能集成的一些探索性试验。在本课题研究中利用GaAs中的自由载流子吸收效应在1.55μm波段成功获得了高达-0.01的折射率改变,为继续研究长波长GaAs载流子注入型器件提供了重要的实验依据,同时也表明了GaAs载流子注入型器件的技术优势。通过改进器件结构以及改善制作工艺,GaAs载流子注入型高速光开关将能达到更好的性能指标,以满足各类应用场合的需求。
田秀仙[6]（2009）在《光纤环路光腔循环衰荡多组分气体浓度测量的研究》文中认为工业生产过程中所排放的有毒有害、易燃易爆气体严重地污染着环境,威胁着人类的健康和工业的生产。因此,对有毒有害、易燃易爆气体浓度进行检测十分重要。多年来在气体浓度测量的研究中,提出了很多方法,这些方法在不同程度上完成了气体浓度的监测任务。但迄今为止,还未出现一种令人满意的在特殊场合下高精度气体浓度在线测量方法。本文就是针对在特殊场合下高精度气体浓度在线测量进行的研究。具体内容包括:首先,分析了多组分气体浓度的测量原理,并对影响气体浓度测量精度、灵敏度和分辨率的各种因素进行了研究。其次,研究了多组分气体浓度在线测量系统的结构,分析了各器件的性能和工作原理,设计了一种新型可调掺铒光纤放大器和一种新型全光纤可调光衰减器,并对该可调光衰减器的衰减特性进行了理论仿真。最后,设计了光纤环路光腔循环衰荡多组分气体浓度在线测量系统。通过实验分析了所设计的可调掺铒光纤放大器的增益特性,研究了所设计的可调光衰减器的制作过程,并对其衰减特性进行了实验验证。进而利用所设计的系统对气体浓度在线测量进行了实验分析,得出了同种气体不同浓度时光的吸收程度随时间变化的规律,以及光的衰荡时间与气体对光的吸收系数和气体浓度的关系,效果比较理想。
李海军[7]（2007）在《基于光通信应用的MOEMS光学无源器件技术研究》文中研究指明为了满足快速发展的光纤通信网络对新型高性能、低成本光无源器件的迫切需求,多种技术被应用于光无源器件研制之中,微光机电系统（MOEMS）技术由于具有成本低、可批量化生产的特点而受到了广泛关注,已成为研制新型光无源器件的主要技术之一。在光通信MOEMS无源器件技术研究中,MOEMS光开关和MOEMS可变光衰减器的相关技术研究具有代表性。本文详细介绍了这两种基于光通信应用的光无源器件的设计、加工以及测试技术。围绕关键指标和主要技术难点,开发了三种新型的具有高深宽比、大纵向结构尺寸加工能力的体硅MEMS加工工艺,确立了一种基于体硅MEMS加工工艺的梳齿电容线位移静电驱动竖直微反射镜自对准的1×2和2×2MOEMS光开关实现方案,研制了1×2、2×2光开关及以1×2或2×2光开关为基本单元级联构成1×8、4×4、8×8等光开关阵列产品。设计加工了一种针对于WDM光通信系统应用的新型低成本、高性能MOEMS可变光衰减器。在本研究中实现了多项关键技术的突破,其中多数属于MOEMS光无源器件的共用技术,为进一步开展光通信用MOEMS光无源器件研究奠定了基础。
张歆东[8]（2007）在《基于聚合物液晶材料的可变光衰减器的研究》文中提出光衰减器在光纤通信、光纤传感器及光纤测量系统中有着广泛的应用。本文结合当前光通信发展对光网络中光信号处理元件的高可靠度、耗电量少以及小型化的要求,采用体硅微机械加工技术,充分考虑（100）和（110）硅晶体的结晶学特征,利用聚合物液晶在不同电场强度下引起的光的散射效应的变化,来实现对光路能量的可控连续衰减,通过对聚合物分散液晶调制工艺参数的调整和器件结构的优化,设计制作出一种新型的连续可变的聚合物液晶型光衰减器原型器件。研制方案采用光纤对接耦合结构与液晶功能单元合并为一体,在（110）或（100）硅基底上通过湿法定向腐蚀制作自对准光纤定位槽与液晶微槽,形成光衰减器的光通路。这种结构在国内外尚未见报道,具有一定的创新性。它使器件更加易于集成,实现器件的多阵列化及小型化、低成本和低能耗,特别是采用聚合物液晶技术与普通的液晶型光衰减器相比,无需偏振片,不需对液晶材料进行特殊的取向处理,结构设计简单,在波分复用光纤网络中将发挥重要的作用,有着巨大的市场潜力和广阔的应用前景。
李九生,王少华,李建蕊[9]（2007）在《聚合物SiON波导的可变光衰减器性能研究》文中研究表明利用弯曲聚合物SiON波导设计了一种新型可变光衰减器,该器件由输入、输出直波导,S型的弯曲波导,以及在聚合物SiON波导弯曲部位镀上的电极组成.通过外加电场的作用来调节波导覆盖层的折射率,从而达到衰减波导中光能量的目的.现采用光束传播法（BPM）对设计的新型光衰减器进行了仿真设计,结果表明,设计的光衰减器具有大的动态可调衰减范围（45.3 dB）,低的插入损耗（0.8 dB）.
王明峰[10]（2007）在《聚合物分散液晶可变光衰减器的材料制备与器件实现》文中进行了进一步梳理可变光衰减器（VOA）可以按照用户的要求将光信号能量进行预期地衰减,补偿光传输过程中的功率波动,实现信道均衡和自动增益控制等功能,是光纤通信网络中的重要功率管理器件。本文结合当前光纤通信对波分复用光网络中光信号处理元件的高可靠度、耗电量少以及小型化的要求,研制了一种新型的聚合物分散液晶可变光衰减器。首先,介绍聚合物分散液晶膜的工作原理及其特性,然后研究液晶含量、聚合物和分散剂的配比、光引发剂含量、固化温度等一系列工艺条件对聚合物分散液晶相分离的影响,并对比其电光特性,在大量的对比试验的基础上,得出制备聚合物分散液晶膜的最佳工艺条件。制备出性能良好的聚合物分散液晶膜后,将MEMS技术中的体硅微细加工工艺与聚合物分散液晶技术结合起来,制作聚合物分散液晶可变光衰减器的整体结构,并对器件的整体性能进行了测试分析。
二、Fabrication of Variable Optical Attenuator With Low Insertion Loss（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、Fabrication of Variable Optical Attenuator With Low Insertion Loss（论文提纲范文）
（1）镧掺杂锆钛酸铅体系介电材料的电光效应机制和储能性能调控（论文提纲范文）
| 作者简历 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 电介质物理学基础 |
| 1.2.1 介质的电极化响应 |
| 1.2.2 自发极化、畴结构和缺陷 |
| 1.2.3 电介质材料的基本性质 |
| 1.2.4 电介质非线性光学理论 |
| 1.2.5 电介质储能机理研究 |
| 1.3 集成光学研究 |
| 1.3.1 光调制材料 |
| 1.3.2 铌酸锂 |
| 1.3.3 光开关 |
| 1.4 锆钛酸铅镧材料概述 |
| 1.4.1 PLZT结构 |
| 1.4.2 PLZT性质与应用 |
| 1.4.3 PLZT研究现状 |
| 1.5 当前集成光学存在的问题 |
| 1.6 本文的研究内容与创新点 |
| 第二章 主要材料及表征手段 |
| 2.1 主要试剂与仪器 |
| 2.1.1 主要试剂和耗材 |
| 2.1.2 实验仪器设备 |
| 2.2 材料主要表征方法 |
| 2.2.1 X-射线衍射分析 |
| 2.2.2 扫描电子显微镜 |
| 2.2.3 介电性能测试 |
| 2.2.4 铁电性能测试 |
| 2.2.5 紫外-可见光-近红外光谱测试 |
| 第三章 PLZT透明陶瓷的制备及其性能研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 PLZT陶瓷的制备与测试方法 |
| 3.2.1 PLZT透明陶瓷的制备 |
| 3.2.2 透明陶瓷的性能表征方法 |
| 3.3 PLZT陶瓷的性能研究 |
| 3.3.1 不同烧结方式下PLZT陶瓷的晶体结构 |
| 3.3.2 烧结方式对PLZT陶瓷晶粒形貌与密度的影响 |
| 3.3.3 烧结方式对PLZT陶瓷电学性能的影响 |
| 3.3.4 烧结方式对PLZT陶瓷透明度的影响 |
| 3.3.5 不同制粉方式所得粉体的晶体结构 |
| 3.3.6 制粉方式对PLZT陶瓷形貌和密度的影响 |
| 3.3.7 制粉方式对PLZT陶瓷电学性质的影响 |
| 3.3.8 制粉方式对PLZT陶瓷透光性的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 等离子退火制备PLZT薄膜及其光学性质研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 PLZT薄膜的制备与测试方法 |
| 4.2.1 PLZT薄膜的制备 |
| 4.2.2 PLZT光学薄膜性能表征方法 |
| 4.3 PLZT薄膜性能研究 |
| 4.3.1 退火方式对PLZT薄膜结构影响 |
| 4.3.2 退火方式对PLZT薄膜形貌的影响 |
| 4.3.3 退火方式对PLZT铁电性能的影响 |
| 4.3.4 退火方式对薄膜透光性的影响 |
| 4.3.5 不同镧含量的PLZT薄膜的结构 |
| 4.3.6 镧含量对PLZT薄膜铁电性能的影响 |
| 4.3.7 镧含量对PLZT薄膜的光学性质影响 |
| 4.3.8 PLZT光波导制备与插入损耗 |
| 4.3.9 透光性的影响机制 |
| 4.4 本章小结 |
| 第五章 电光薄膜和光调制器的制备与性能研究 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 PLZT电光薄膜的制备与测试方法 |
| 5.2.1 PLZT电光薄膜的制备 |
| 5.2.2 电光薄膜表征方法 |
| 5.3 PLZT电光薄膜的性能研究 |
| 5.3.1 PLZT电光薄膜的制备 |
| 5.3.2 镧含量对PLZT电光薄膜结构的影响 |
| 5.3.3 镧含量对PLZT薄膜光学性质的影响 |
| 5.3.4 镧含量对PLZT电光薄膜电学性质的影响 |
| 5.3.5 二次电光系数测量系统改进 |
| 5.3.6 PLZT电光调制器的制备与性能研究 |
| 5.3.7 电光效应响应机制 |
| 5.4 本章小结 |
| 第六章 PLZT/PVDF复合薄膜的制备与储能性能研究 |
| 6.1 引言 |
| 6.2 PLZT/PVDF复合薄膜的制备与测试方法 |
| 6.2.1 PLZT/PVDF复合材料的制备 |
| 6.2.2 PLZT/PVDF复合材料的表征方法 |
| 6.3 PLZT/PVDF复合材料性能研究 |
| 6.3.1 表面改性机理与击穿场强模拟计算原理 |
| 6.3.2 填料体积分数对复合薄膜XRD的影响 |
| 6.3.3 填料体积分数对复合薄膜电学性质的影响 |
| 6.3.4 不同维度PLZT填料的制备 |
| 6.3.5 填料维度对复合薄膜电学性能的影响 |
| 6.3.6 PLZT纳米填料/聚合物的介电理论研究 |
| 6.4 本章小结 |
| 第七章 结论与展望 |
| 7.1 结论 |
| 7.2 展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
（2）聚合物分散液晶的制备、电光特性及应用研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 专用术语注释表 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 液晶材料及应用介绍 |
| 1.1.1 液晶的结构 |
| 1.1.2 液晶的分类 |
| 1.1.3 液晶的性质 |
| 1.1.4 液晶显示及液晶电光器件 |
| 1.2 可变光衰减器 |
| 1.2.1 可变光衰减器的分类 |
| 1.2.2 基于液晶的可变光衰减器分类 |
| 1.3 论文研究目标与主要内容 |
| 第二章 PDLC的制备和电光特性测试 |
| 2.1 PDLC工作原理 |
| 2.1.1 PDLC的微滴排列方式 |
| 2.1.2 PDLC开关态特性 |
| 2.1.3 PDLC的阈值电场 |
| 2.2 PDLC的制备 |
| 2.2.1 PDLC制备方法介绍 |
| 2.2.2 PDLC的实验制备 |
| 2.3 PDLC电光特性测试 |
| 2.3.1 电压-透过率特性 |
| 2.3.2 响应时间特性 |
| 2.3.3 迟滞效应 |
| 2.3.4 衰减性能 |
| 2.4 本章小结 |
| 第三章 材料配比对PDLC-VOA电光特性的影响 |
| 3.1 材料配比对PDLC-VOA形貌特征的影响 |
| 3.2 材料配比对PDLC-VOA电压-透过率特性的影响 |
| 3.3 材料配比对PDLC-VOA响应时间的影响 |
| 3.4 材料配比对PDLC-VOA迟滞效应的影响 |
| 3.5 PDLC-VOA衰减性能测试 |
| 3.6 本章小结 |
| 第四章 紫外固化光强对PDLC-VOA电光特性影响的研究 |
| 4.1 紫外固化光强对PDLC-VOA形貌特征的影响 |
| 4.2 紫外固化光强对PDLC-VOA电压-透过率特性的影响 |
| 4.3 紫外固化光强对PDLC-VOA响应时间的影响 |
| 4.4 紫外固化光强对PDLC-VOA迟滞效应的影响 |
| 4.5 PDLC-VOA衰减性能测试 |
| 4.6 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 论文主要研究内容总结 |
| 5.2 进一步研究展望 |
| 参考文献 |
| 附录1 攻读硕士学位期间撰写的论文 |
| 致谢 |
（3）聚合物平面光波导热光器件及其稳定性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 光通信的发展 |
| 1.2 光开关简介 |
| 1.2.1 光开关的分类 |
| 1.2.2 光开关的应用 |
| 1.2.3 热光开关发展历程 |
| 1.3 稳定性研究的重要意义 |
| 1.4 本篇论文的主要工作及创新点 |
| 第二章 平面光波导热光开关机理 |
| 2.1 平面光波导模式 |
| 2.1.1 三层平面光波导模式分析 |
| 2.1.2 矩形波导模式理论 |
| 2.1.3 脊形波导模式理论 |
| 2.2 光波导的耦合理论 |
| 2.2.1 定向耦合 |
| 2.2.2 弯曲耦合 |
| 2.3 马赫-曾德尔干涉仪（MZI）型热光开关工作原理 |
| 2.4 MZI热光开关设计与模拟 |
| 第三章 650NM波段三维聚合物热光开关 |
| 3.1 设计与优化 |
| 3.1.1 材料 |
| 3.1.2 单模波导分析 |
| 3.1.3 参数优化 |
| 3.2 实验 |
| 3.3 结果与讨论 |
| 3.3.1 功耗 |
| 3.4 器件的时间响应 |
| 3.5 器件稳定性 |
| 3.6 小结 |
| 第四章 650 NM波段聚合物/二氧化硅可变光衰减器 |
| 4.1 简介 |
| 4.2 器件的设计与优化 |
| 4.2.1 单模波导设计 |
| 4.2.2 多模干涉器 |
| 4.2.3 锥口传输区波导 |
| 4.3 模拟仿真结果 |
| 4.3.1 热扩散 |
| 4.3.2 器件性能 |
| 4.4 器件制备与表征 |
| 4.5 器件测试与讨论 |
| 4.5.1 消光特性 |
| 4.5.2 时间稳定性 |
| 4.5.3 时间响应 |
| 4.6 小结 |
| 第五章 MZI型热光开关的设计与制备 |
| 5.1 热光开关的工艺制备 |
| 5.1.1 所用材料介绍 |
| 5.1.2 器件制备的仪器设备 |
| 5.1.3 工艺步骤介绍 |
| 5.2 性能指标的测试及分析 |
| 5.3 小结 |
| 第六章 热光器件的封装技术研究 |
| 6.1 光开关壳体的设计 |
| 6.2 器件端面的切割技术 |
| 6.3 器件端面的打磨与抛光技术 |
| 6.4 器件的耦合与封装 |
| 第七章 热光开关稳定性研究 |
| 7.1 稳定性测试原理及意义 |
| 7.2 封装后器件的长期稳定性测试 |
| 7.2.1 损耗依赖波长特性测试 |
| 7.2.2 开关时间稳定性测试 |
| 7.2.3 功耗稳定性测试 |
| 7.3 封装后器件温度循环稳定性测试 |
| 7.3.1 温度循环后稳定性测试 |
| 7.4 小结 |
| 第八章 总结与展望 |
| 8.1 总结 |
| 8.2 展望 |
| 参考文献 |
| 作者简介及博士期间发表的论文 |
| 致谢 |
（4）基于MEMS的可变光衰减器的设计与制作（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 目录 |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 微机电系统MEMS |
| 1.1.1 微机电系统MEMS简介 |
| 1.1.2 MEMS的发展与市场情况 |
| 1.1.3 MEMS的国外发展状况 |
| 1.1.4 MEMS国内发展状况 |
| 1.1.5 MEMS制造技术 |
| 1.1.6 MEMS封装技术 |
| 1.1.7 光学MEMS的热点与市场分析 |
| 1.1.8 MEMS技术在光通信领域的应用前景 |
| 1.2 光衰减器 |
| 1.2.1 光衰减器的发展 |
| 1.2.2 VOA的模块化应用 |
| 1.3 现有技术和衰减器分类 |
| 1.3.1 挡光型 |
| 1.3.2 横向位移型 |
| 1.3.3 径向位移型 |
| 1.3.4 光衰减片型 |
| 1.3.5 热光型 |
| 1.3.6 磁光型 |
| 1.3.7 M-Z干涉波导型 |
| 1.3.8 MEMS型 |
| 1.4 课题研究目的、意义和来源 |
| 第2章 设计方案 |
| 2.1 工作原理 |
| 2.2 MEMS芯片 |
| 2.3 聚焦准直透镜与准直器 |
| 2.4 C-lens准直特性 |
| 2.5 VOA光路系统传输矩阵分析 |
| 2.5.1 xoz平面传输矩阵 |
| 2.5.2 yoz平面传输矩阵 |
| 2.6 结构设计 |
| 第3章 平台设计与制作工艺 |
| 3.1 材料与制作平台搭建 |
| 3.2 制作工艺 |
| 3.2.1 工艺流程 |
| 3.2.2 底座与MEMS芯片粘接 |
| 3.2.3 MEMS芯片电极键合 |
| 3.2.4 套管与C-lens粘合 |
| 3.2.5 半成品封装 |
| 3.2.6 调试与同轴封装 |
| 3.2.7 外封管封装 |
| 3.2.8 粘合器件的清洗 |
| 第4章 性能参数与调试测试 |
| 4.1 衰减量Att |
| 4.2 插入损耗IL |
| 4.3 波长相关损耗WDL |
| 4.4 偏振相关损耗PDL |
| 4.5 回波损耗RL |
| 4.6 温度相关损耗TDL |
| 4.7 其他环节及衰减测试结果 |
| 4.8 高温高热耐久性试验要求 |
| 4.9 可靠性试验要求 |
| 第5章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 附录 |
| 致谢 |
（5）砷化镓载流子注入型光开关的研究（论文提纲范文）
| 致谢 |
| 摘要 |
| Abstract |
| 目次 |
| 图目录 |
| 表目录 |
| 1 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光开关概述 |
| 1.3 化合物半导体光开关的研究进展 |
| 1.4 研究意义和所做工作 |
| 参考文献 |
| 2 GaAs材料与制作工艺 |
| 2.1 GaAs材料特性 |
| 2.1.1 外延生长技术 |
| 2.1.2 载流子注入效应 |
| 2.1.3 AlGaAs/GaAs/AlGaAs双异质结 |
| 2.2 GaAs制作工艺 |
| 2.2.1 刻蚀技术 |
| 2.2.2 掺杂技术 |
| 2.2.3 介质膜的生长与刻蚀 |
| 2.2.4 电极制作以及欧姆接触 |
| 参考文献 |
| 3 GaAs载流子注入型光开关的设计 |
| 3.1 外延材料与波导结构设计 |
| 3.2 工艺流程设计 |
| 3.3 光开关结构设计 |
| 3.3.1 多模干涉自映像效应 |
| 3.3.2 多模干涉-马赫曾德尔型光开关 |
| 3.3.3 多模干涉型光开关 |
| 3.3.4 基于外延材料一的器件设计 |
| 3.3.5 基于外延材料二的器件设计 |
| 3.3.6 锥形光波导中附加相位特性的分析 |
| 参考文献 |
| 4 器件制作与测试 |
| 4.1 基本工艺的摸索 |
| 4.1.1 光刻 |
| 4.1.2 波导的腐蚀 |
| 4.1.3 电极制作 |
| 4.1.4 氧离子注入 |
| 4.2 基于外延材料一的器件制作及测试 |
| 4.2.1 材料通光测试 |
| 4.2.2 器件制作 |
| 4.2.3 器件测试 |
| 4.3 基于外延材料二的器件制作及测试 |
| 4.3.1 材料通光测试 |
| 4.3.2 器件制作 |
| 4.3.3 器件测试 |
| 4.3.4 载流子注入型器件的工艺难点 |
| 参考文献 |
| 5 可变光衰减器的设计 |
| 5.1 S弯曲可变光衰减器 |
| 5.1.1 工作原理 |
| 5.1.2 集成S弯曲衰减器的1×2热光光开关 |
| 5.1.3 GaAs载流子注入型S弯曲衰减器 |
| 5.2 多模干涉型可变光衰减器 |
| 5.3 基于W型五层平板波导的可变光衰减器 |
| 参考文献 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 总结 |
| 6.2 存在的不足及展望 |
| 作者简历及攻读博士学位期间的研究成果 |
（6）光纤环路光腔循环衰荡多组分气体浓度测量的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 国内外研究现状 |
| 1.2.1 国外研究现状 |
| 1.2.2 国内研究现状 |
| 1.3 气体浓度测量的主要方法 |
| 1.3.1 热导传感测量气体浓度 |
| 1.3.2 超声技术测量气体浓度 |
| 1.3.3 光谱学气体浓度测量技术 |
| 1.3.4 化学气体浓度测量方法 |
| 1.3.5 载体催化燃烧法测量气体浓度 |
| 1.3.6 光干涉法测量气体浓度 |
| 1.4 气体浓度测量的展望 |
| 1.5 本论文的研究目的和主要内容 |
| 1.5.1 本论文的研究目的 |
| 1.5.2 本论文的主要内容 |
| 第2章 多组分气体浓度的测量原理 |
| 2.1 测量原理 |
| 2.2 气体浓度的测量精度 |
| 2.3 气体浓度的测量灵敏度 |
| 2.4 气体浓度的测量分辨率 |
| 2.5 本章小结 |
| 第3章 多组分气体浓度测量系统的结构 |
| 3.1 系统结构 |
| 3.2 可调激光脉冲发生器 |
| 3.3 增益可调掺铒光纤放大器 |
| 3.3.1 EDFA 的放大机理 |
| 3.3.2 EDFA 的增益平坦技术 |
| 3.3.3 增益可调掺铒光纤放大器的设计及分析 |
| 3.4 可调光衰减器 |
| 3.4.1 可调光衰减器的性能与特点 |
| 3.4.2 可调光衰减器的设计及分析 |
| 3.5 光隔离器 |
| 3.6 光耦合器 |
| 3.6.1 光耦合器的工作原理 |
| 3.6.2 光耦合器的制备 |
| 3.7 光开关 |
| 3.7.1 光开关的分类和工作原理 |
| 3.7.2 光开关的性能和发展趋势 |
| 3.8 本章小结 |
| 第4章 多组分气体浓度测量实验与分析 |
| 4.1 系统设计 |
| 4.1.1 测量气室的设计 |
| 4.1.2 增益可调掺铒光纤放大器的实验分析 |
| 4.1.3 可调光衰减器的实验分析与性能验证 |
| 4.2 气体浓度在线测量的实验分析 |
| 4.3 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间承担的科研任务与主要成果 |
| 致谢 |
| 作者简介 |
（7）基于光通信应用的MOEMS光学无源器件技术研究（论文提纲范文）
| 提要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光通信用 MOEMS 无源器件技术 |
| 1.3 光开关 |
| 1.3.1 光开关在光通信系统中的应用 |
| 1.3.2 光开关相关技术现状 |
| 1.3.3 MOEMS 光开关相关技术状况 |
| 1.4 可变光衰减器 |
| 1.4.1 可变光衰减器在光通信系统中的应用 |
| 1.4.2 可变光衰减器相关技术状况 |
| 1.4.3 微机械可变光衰减器相关技术状况 |
| 1.5 课题的研究意义及主要研究内容 |
| 1.5.1 研究意义 |
| 1.5.2 主要研究内容 |
| 参考文献 |
| 第二章 高深宽比、大纵向尺寸结构体硅 MEMS 加工技术 |
| 2.1 引言 |
| 2.2 常用的几种 MEMS 加工技术 |
| 2.2.1 表面 MEMS 加工技术 |
| 2.2.2 体硅 MEMS 加工技术 |
| 2.2.3 LIGA 加工技术 |
| 2.3 全干法刻蚀SOI 体硅MEMS 加工工艺和全干法刻蚀SOG 体硅MEMS 加工工艺 |
| 2.3.1 工艺流程 |
| 2.3.2 主要关键技术 |
| 2.3.3 工艺实验结果 |
| 2.4 二次浓硼扩散/刻蚀体硅 MEMS 工艺 |
| 2.4.1 工艺流程 |
| 2.4.2 二次浓硼扩散/刻蚀体硅 MEMS 工艺实验结果 |
| 2.5 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 MOEMS 光开关的制作技术研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 静电驱动1×2、2×2 2D MOEMS 光开关结构和工作原理 |
| 3.3 MOEMS 光开关的光耦合模式分析 |
| 3.3.1 光纤(准直透镜)－自由空间－光纤(准直透镜) 光路结构对插入损耗的影响 |
| 3.3.2 光纤（准直透镜）－自由空间－微反射镜－自由空间－光纤（准直透镜）光路结构对插入损耗的影响 |
| 3.4 低电压、大位移、高速梳齿电容线位移静电驱动器结构设计原理 |
| 3.4.1 静电驱动器 |
| 3.4.2 线位移梳齿电容静电驱动器 |
| 3.5 1×2、2×2 静电驱动 MOEMS 光开关的设计和加工 |
| 3.5.1 锥角台面光纤的设计加工 |
| 3.5.2 梳齿电容静电驱动 MOEMS 光开关驱动器设计 |
| 3.5.3 芯片版图设计 |
| 3.5.4 芯片加工 |
| 3.5.5 器件封装 |
| 3.6 1×8、4×4、8×8 光开关阵列的设计和加工 |
| 3.6.1 光开关阵列结构的级联构造方式 |
| 3.6.2 1×8、4×4、8×8 光开关阵列的制作 |
| 3.7 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 MOEMS 可变光衰减器的设计和加工技术研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 挡板式梳齿电容静电驱动MOEMS 可变光衰减器的结构及其工作原理 |
| 4.3 低插入损耗、大动态衰减范围、低波长相关损耗、低偏振相关损耗、高回波损耗光学结构设计 |
| 4.3.1 光衰减耦合模型分析 |
| 4.3.2 回波损耗分析 |
| 4.3.3 波长相关损耗分析 |
| 4.3.4 偏振相关损耗分析 |
| 4.3.5 光路结构设计 |
| 4.4 驱动器设计 |
| 4.5 版图结构设计 |
| 4.6 芯片加工 |
| 4.7 器件封装 |
| 4.8 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第五章 MOEMS 光开关和 MOEMS 可变光衰减器的参数测试 |
| 5.1 引言 |
| 5.2 MOEMS 光开关和 MOEMS 光衰减器的参数测试原理及方法 |
| 5.2.1 MOEMS 光开关参数测试原理及方法 |
| 5.2.2 MOEMS 可变光衰减器光机电参数测试原理及方法 |
| 5.3 测试结果 |
| 5.3.1 1×2、2×2 MOEMS 光开关性能参数测试结果 |
| 5.3.2 MOEMS 可变光衰减器性能参数测试结果 |
| 5.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第六章 全文总结 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文及其它成果 |
| 致谢 |
| 中文摘要 |
| 英文摘要 |
（8）基于聚合物液晶材料的可变光衰减器的研究（论文提纲范文）
| 提要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光衰减器 |
| 1.2.1 光衰减器的发展 |
| 1.2.2 光衰减器的几种新技术 |
| 1.2.3 光衰减器应用的性能要求 |
| 1.2.4 光衰减器的主要性能指标 |
| 1.2.5 几种新技术的性能比较 |
| 1.2.6 光衰减器应用发展趋势 |
| 1.3 基于聚合物液晶材料的光通讯器件 |
| 1.3.1 聚合物液晶材料的光衰减机理 |
| 1.3.2 基于聚合物液晶材料光器件的研究发展 |
| 1.4 本论文的研究意义及主要研究内容 |
| 1.4.1 研究意义 |
| 1.4.2 主要研究内容 |
| 1.4.3 论文创新之处 |
| 参考文献 |
| 第二章 聚合物液晶材料的电光特性分析 |
| 2.1 液晶介绍 |
| 2.1.1 液晶的分类 |
| 2.1.2 液晶的物理性质和各向异性 |
| 2.2 聚合物/液晶复合材料 |
| 2.2.1 聚合物分散液晶的光衰减机理 |
| 2.2.2 聚合物分散液晶的制备工艺 |
| 2.2.3 聚合物分散液晶的应用 |
| 2.3 聚合物液晶材料的制备 |
| 2.3.1 选择材料 |
| 2.3.2 紫外辐照相分离实验 |
| 2.3.3 性能测试 |
| 2.4 实验结果与讨论 |
| 2.4.1 液晶材料的影响 |
| 2.4.2 齐聚物与稀释剂的影响 |
| 2.4.3 光引发剂的影响 |
| 2.4.4 固化温度的影响 |
| 2.5 结论 |
| 参考文献 |
| 第三章 透明导电薄膜的制备及测试分析 |
| 3.1 氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的结构特性 |
| 3.1.1 ITO 透明导电薄膜发展 |
| 3.1.2 ITO 薄膜的导电机制和特性 |
| 3.2 ITO 透明导电薄膜的制备技术及工艺方法 |
| 3.2.1 磁控溅射沉积 |
| 3.2.2 真空蒸发沉积 |
| 3.2.3 化学气相沉积（CVD） |
| 3.2.4 溶胶- 凝胶(Sol- Gel)法 |
| 3.3 ITO 透明导电薄膜的制备实验与测试 |
| 3.3.1 射频磁控溅射技术介绍 |
| 3.3.2 实验设备与材料准备 |
| 3.3.3 实验工艺条件对ITO 透明导电薄膜的性能影响 |
| 3.4 单模光纤端面溅射氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜 |
| 3.5 结论 |
| 参考文献 |
| 第四章 可变光衰减器器件结构制作工艺研究及器件性能测试 |
| 4.1 器件结构设计 |
| 4.2 器件制作工艺流程 |
| 4.2.1 实验准备 |
| 4.2.2 氮化硅与二氧化硅掩膜层 |
| 4.2.3 光刻工艺 |
| 4.2.4 反应离子刻蚀（RIE）工艺 |
| 4.2.5 湿法刻蚀工艺 |
| 4.2.6 金属导电电极的制作 |
| 4.2.7 光纤溅射ITO 透明导电薄膜 |
| 4.2.8 耦合光纤 |
| 4.2.9 聚合物液晶材料填充，器件组装 |
| 4.3 器件性能指标的测试 |
| 4.3.1 建立测试系统 |
| 4.3.2 衰减指标的测试 |
| 4.3.3 响应时间测试 |
| 4.4 结论 |
| 参考文献 |
| 第五章 全文总结与展望 |
| 5.1 全文总结 |
| 5.2 工作展望 |
| 致谢 |
| 攻读博士期间取得的研究成果 |
| 摘要 |
| Abstract |
（9）聚合物SiON波导的可变光衰减器性能研究（论文提纲范文）
| 1 器件设计和理论分析 |
| 2 数值结果 |
| 3 结 论 |
（10）聚合物分散液晶可变光衰减器的材料制备与器件实现（论文提纲范文）
| 内容提要 |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 引言 |
| 1.2 光衰减器发展概述 |
| 1.2.1 机械型光衰减器 |
| 1.2.2 基于聚合物的热光型光衰减器 |
| 1.2.3 液晶型光衰减器 |
| 1.2.4 基于MEMS 技术的光衰减器 |
| 1.2.5 聚合物分散液晶型光衰减器 |
| 1.3 光衰减器的发展趋势 |
| 1.4 本论文的研究内容及意义 |
| 第二章 聚合物分散液晶膜的工作原理及其特性 |
| 2.1 液晶简介 |
| 2.1.1 液晶的种类 |
| 2.1.2 液晶的基本性质 |
| 2.2 PDLC 膜的工作原理 |
| 2.3 PDLC 膜的电光响应 |
| 2.3.1 PDLC 膜中液晶粒径尺寸的影响 |
| 2.3.2 PDLC 膜中液晶微粒的排列方式 |
| 2.3.3 PDLC 膜的弹性形变本质 |
| 2.3.4 PDLC 膜的驱动电压 |
| 2.3.5 PDLC 膜的对比度 |
| 2.4 PDLC 膜的制备方法 |
| 2.4.1 温度分相法(TIPS) |
| 2.4.2 溶剂分相法(SIPS) |
| 2.4.3 聚合分相法(PIPS) |
| 2.4.4 微胶囊分散法(MP) |
| 2.5 PDLC 的应用 |
| 第三章 聚合物分散液晶膜的制备 |
| 3.1 制备PDLC 膜材料的选取 |
| 3.2 PDLC 膜制作的工艺流程 |
| 3.3 PDLC 膜的性能测试和结果分析 |
| 3.3.1 聚合物和分散剂的配比对PDLC 膜特性的影响 |
| 3.3.2 液晶含量对PDLC 膜特性的影响 |
| 3.3.3 不同的光引发剂含量对PDLC 膜特性的影响 |
| 3.3.4 不同固化温度对PDLC 膜特性的影响 |
| 3.4 本章小结 |
| 第四章 聚合物分散液晶可变光衰减器的制作 |
| 4.1 光纤上氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜的制备 |
| 4.2 聚合物分散液晶可变光衰减器的制作工艺流程 |
| 4.3 聚合物分散液晶可变光衰减器的性能测试 |
| 4.3.1 响应时间的测试 |
| 4.3.2 电光特性的测试 |
| 第五章 全文总结及展望 |
| 参考文献 |
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 致谢 |
四、Fabrication of Variable Optical Attenuator With Low Insertion Loss（论文参考文献）
- [1]镧掺杂锆钛酸铅体系介电材料的电光效应机制和储能性能调控[D]. 黄灿. 中国地质大学, 2021(02)
- [2]聚合物分散液晶的制备、电光特性及应用研究[D]. 陈菲. 南京邮电大学, 2019(02)
- [3]聚合物平面光波导热光器件及其稳定性研究[D]. 于跃洋. 吉林大学, 2017(03)
- [4]基于MEMS的可变光衰减器的设计与制作[D]. 思亮. 广西师范大学, 2013(S1)
- [5]砷化镓载流子注入型光开关的研究[D]. 戚伟. 浙江大学, 2009(12)
- [6]光纤环路光腔循环衰荡多组分气体浓度测量的研究[D]. 田秀仙. 燕山大学, 2009(07)
- [7]基于光通信应用的MOEMS光学无源器件技术研究[D]. 李海军. 吉林大学, 2007(05)
- [8]基于聚合物液晶材料的可变光衰减器的研究[D]. 张歆东. 吉林大学, 2007(05)
- [9]聚合物SiON波导的可变光衰减器性能研究[J]. 李九生,王少华,李建蕊. 中国计量学院学报, 2007(03)
- [10]聚合物分散液晶可变光衰减器的材料制备与器件实现[D]. 王明峰. 吉林大学, 2007(02)