一、近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展（论文文献综述）
孙祺[1]（2020）在《钛扩散铌酸锂光波导光学性质的实验研究》文中认为铌酸锂晶体具有优异的电光性质,可用于制作各种电光器件,包括各种基于钛扩散铌酸锂光波导的电光器件。开展钛扩散铌酸锂光波导电光性质的研究对改善基于钛扩散铌酸锂光波导电光器件性能具有重要的意义。本文主要研究了近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的导波性质,双面钛扩散铌酸锂晶体以及同成份和近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的电光性质。主要研究目的是考察钛扩散掺杂对铌酸锂晶体电光性质的影响。论文的主要工作包括以下四个方面。（1）开展了近化学计量比铌酸锂晶体的制备。采用富锂气相输运平衡法（Li-rich VTE）制备了近化学计量比铌酸锂晶体,研究了VTE时间和温度对晶体表面Li2O含量的影响以及晶体切向效应。结果表明:VTE所诱导的Li2O含量增加量与VTE温度遵从Arrhenius关系,与VTE时间呈近似平方根关系,并给出了经验表达式。（2）研究了近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的导波性质。采用三种方法（先VTE后钛扩散,先钛扩散后VTE以及钛扩散与VTE同时进行）制作了近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导,并对其组份、导波性质及钛浓度分布进行了实验表征。实验结果显示:钛扩散所诱导的折射率增量与钛浓度呈指数关系。不同制作方法呈现不同的指数关系,这与Ti所处不同的离子环境有关。（3）研究了双面钛扩散铌酸锂晶体的电光性质。采用高温扩散方法制备了若干不同钛掺杂浓度的双面钛扩散铌酸锂晶体,搭建了只适用于体材料电光系数测量的马赫曾德（Mach-Zehnder）干涉测量系统,并对这些晶体的电光系数进行了测量。还对不同掺杂浓度（0-16 mol%）的体掺钛铌酸锂晶体的电光系数进行了比对测量。实验结果显示:随着钛掺杂浓度的增加,不论扩散掺杂还是体掺杂都会导致铌酸锂晶体的电光系数略微下降。相较而言,扩散掺杂时下降幅度稍微小一些。我们认为,这与钛扩散掺杂和体掺杂所导致的离子环境不同有关。当钛掺杂浓度为通常钛扩散铌酸锂条形光波导的表面钛浓度～6.4 mol%时,双面钛扩散铌酸锂晶体电光系数γ33仅下降了2%,该下降幅度在本实验误差范围（4%）之内,表明该掺杂浓度双面钛扩散铌酸锂晶体的电光性质很好地保持。（4）研究了同成份和近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的电光性质。率先提出并搭建了基于棱镜耦合技术的实验系统,即适合于薄膜、平面光波导又适合于体材料电光系数测量。利用该系统对名义纯同成份铌酸锂晶体,同成份和近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导（表面钛浓度为通常的6.4 mol%）的电光性质进行了表征。实验结果显示:无论是同成份还是近化学计量比光波导,钛扩散掺杂对铌酸锂晶体电光性质的影响可忽略不计,这与上述双面钛扩散铌酸锂晶体测量结果相吻合。综上所述,钛扩散掺杂几乎不会对铌酸锂晶体电光性质产生影响。钛扩散波导器件的电光性能得到了保持,这对相关波导器件的应用与开发具有重大的意义。
孙军,郝永鑫,张玲,许京军,祝世宁[2]（2020）在《铌酸锂晶体及其应用概述》文中指出铌酸锂晶体历史悠久,物理效应最为齐全,被用于制备声学滤波器、谐振器、延迟线、电光调制器、电光调Q开关、相位调制器等器件,在电子技术、光通信技术、激光技术等领域得到了广泛应用,并且在第五代无线通信技术、微纳光子学、集成光子学及量子光学等近期快速发展的领域中展示了重要的应用前景。本文简要综述了铌酸锂晶体的基本性质、晶体制备以及应用情况,对铌酸锂晶体未来的应用发展进行了简要分析。
唐隆煌[3]（2020）在《高性能太赫兹波参量辐射源及其应用的研究》文中研究说明太赫兹波由于其独特的电磁频谱特性,在生物医学诊断、通信及雷达探测等领域具有重要的研究价值和应用前景。高性能太赫兹波辐射源是太赫兹波应用的关键技术基础,而太赫兹波参量辐射源由于兼具宽频率调谐范围和高功率单色太赫兹波输出,且拥有体积小、结构紧凑和室温工作等优点,是目前太赫兹波辐射源的重要研究方向之一。本文围绕太赫兹波参量辐射源的频率连续可调谐和输出能量特性等关键问题,对非线性晶体中基于受激电磁耦子散射（SPS）的宽带相位匹配及高增益泵浦技术进行了理论和实验研究,实现了宽调谐范围、高能量的高性能太赫兹辐射源,并应用于雷达散射特性表征。主要工作内容和创新点如下:1、研究了基于铌酸锂晶体的宽带高能量太赫兹参量产生技术。理论分析不同化学计量比铌酸锂晶体的介电、拉曼特性对基于SPS的太赫兹波频率调谐范围和转换效率的影响,实验设计循环泵浦技术,提高太赫兹波转换效率;与传统同成分铌酸锂（CLN）晶体相比,近化学计量比铌酸锂（SLN）晶体将太赫兹频率调谐上限从3THz扩展至4.64THz,并在1.6THz处提高太赫兹波能量2.75倍。2、研究了基于多模SPS的可调谐双色太赫兹波参量产生技术。理论分析了多模SPS中泵浦波长对双色太赫兹波相位匹配调谐及增益特性的影响,实验上利用双波长激光泵浦磷酸钛氧钾（KTP）晶体,通过同时激发不同A1振动模的SPS实现双色太赫兹波输出,其频率调谐范围为3.15-11.63THz和1.47-6.03THz,且双色太赫兹波之间输出能量比例任意可调。3、研究了基于相干SPS的太赫兹波参量产生技术。理论分析了非线性极化率共振增强效应对太赫兹波产生过程中参量效应和级联SPS效应的影响;实验上利用脉冲种子光注入技术,基于SLN晶体实现类光子区相干SPS,在1.04-5.15THz范围内获得3d B带宽提升2.6倍的高增益太赫兹波辐射;并基于KTP晶体实现类声子区增益补偿,获得2.96-6.48THz范围内的太赫兹波连续调谐输出,在3.3THz处输出能量提高6.84倍。4、实验研究了典型目标体在太赫兹频段的雷达散射截面特性。利用自行研发的脉冲种子注入式太赫兹波参量辐射源搭建了信噪比为17d B的近场太赫兹雷达散射截面测量系统,获得典型目标体在3.3THz和5.0THz处的雷达散射截面,结果表明相较于3.3THz处,5.0THz处的RCS值提高了3-7d Bsm。
韩县博[4]（2020）在《铪铁铜铌酸锂晶体的制备和全息存储性能的研究》文中提出本文中不同[Li]/[Nb]比和Hf4+离子掺杂浓度的Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体均通过传统的Czochralski法制备生成,分析得出一系列晶体样品的最适生长环境,通过多次试验,成功找出减少晶体生长宏观缺陷的方法,并利用多种物理、化学手段对已生成晶体进行二次加工。利用电感耦合等离子体质谱法（ICP-AES）对Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体中Hf4+、Fe3+和Cu2+离子成分浓度进行分析。实验结果表明,Hf4+离子掺杂浓度和[Li]/[Nb]比的改变直接影响到晶体中各离子有效分凝系数。当Hf4+浓度的增加时,Hf4+有效分凝系数减少,但是Fe3+和Cu2+有效分凝系数的变化趋势却与之相反。然而对[Li]/[Nb]比进行改变时,Hf4+的有效分凝系数随着[Li]/[Nb]比的增加而下降,同时Fe3+和Cu2+有效分凝系数随着[Li]/[Nb]比的增加为上升趋势。通过红外吸收光谱测试Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的缺陷结构和离子占位。实验结果表明Hf4+离子通过优先取代NbLi4+的方式进入LiNbO3晶体,当Hf4+掺杂浓度达到阈值浓度时,Hf4+离子优先通过占据晶体中的Nb位的方式进入铌酸锂晶体,并在Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体中形成新的本征缺陷Hf-Nb。对同成分的Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的[Li]/[Nb]比进行改变时,将会有效的减少晶体样品中本征缺陷的浓度,同时推断出,样品HfFeCu1.20为近化学计量比晶体。利用双折射梯度法测试不同Hf4+离子掺杂浓度和[Li]/[Nb]比Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的光学均匀性。结果发现随着Hf4+离子掺杂浓度和[Li]/[Nb]比增加,Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的光学均匀性得到明显的改善。实验结果表明,Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体在全息存储领域具有较大的开发潜力。本次实验中各种生长条件下的Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的全息存储能力均通过双波长耦合实验进行测试。结果表明,Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的全息存储能力可以通过增加[Li]/[Nb]比和Hf4+离子掺杂浓度方式得到改善。同时了解到,虽然Hf4+浓度与[Li]/[Nb]比的改变并没有直接参与到光激发载流子的运输,但是可以通过改变Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体内各离子的占位和缺陷结构改善其光折变性能。本次实验中Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的抗光损伤能力利用光致散射曝光能量流阈值法进行,当Hf4+离子掺杂浓度达到8mol%时,Hf:Fe:Cu:LiNbO3晶体的曝光能量达到730.95J/cm2,与晶体样品HfFeCu2相比提高121.4倍。[Li]/[Nb]比的改变同样具有相同的增强作用,而且与样片HfFeCu8相比仍增加161.56J/cm2。
徐庆东[5]（2019）在《缓冲质子交换近化学计量比LiNbO3光波导的制备与表征》文中认为铌酸锂（LiNbO3,LN）晶体具备优良的电光,压电,非线性光学等性能,在可见光和近红外波段具有较低的传输损耗。与同成分铌酸锂（CLN）晶体相比,近化学计量比铌酸锂（NSLN）晶体表现出更强的电光和非线性效应以及较低的畴反转极化电压等优势。因此,本文首次利用质子交换法详细地研究了NSLN在不同条件下的扩散系数,建立了两种扩散机制;其次对质子交换后晶体腐蚀特性进行定性分析;最后采用缓冲质子交换和退火技术制备了NSLN条形光波导,并对条波导进行表征。本文工作为制作高质量的PPLN波导开辟了一条新的路径。本论文主要进行了以下几个方面的研究和探讨:一、采用Z切CLN晶体作为初始材料。使用VTE技术制备出NSLN晶体,将CLN晶体和NSLN晶体放入不同浓度（0%～3%）的交换液中在不同温度（210℃、225℃、245℃）下质子交换,接着部分样品在不同温度（300℃、360℃、376℃）下退火,制作了一系列平面光波导,使用棱镜耦合仪测量并用IWKB法拟合出相应的波导折射率分布,计算出交换和退火扩散系数。二、对NSLN晶体和CLN晶体扩散系数进行分析。结果表明CLN晶体中的退火扩散系数始终比NSLN晶体中的值大,而两种材料中交换扩散系数的大小关系要根据交换液浓度和交换温度而定。通过对比NSLN晶体和CLN晶体中交换和退火扩散系数的大小关系,总结出两种扩散机制:交换扩散机制和退火扩散机制,质子交换过程是这两种扩散机制共同作用下的结果。对质子交换后晶体放入混合酸中在不同时间（0～600min）下进行腐蚀,得到腐蚀特性结果,从而确定合适的交换液浓度、交换温度和时间、退火温度和时间来制作NSLN条形光波导。三、使用Z切CLN和NSLN晶体作为初始材料。采用磁控溅射在材料+Z面光刻制作出二氧化硅掩膜,然后在225℃下使用2.5%的缓冲液质子交换60h,再在320℃下退火20h得到8μm宽的条波导。对制备的条波导进行表征:首先利用Rsoft软件对1550nm波长下条波导近场模式进行仿真;其次搭建近场模式采集系统,对CLN和NSLN波导的近场模式进行了采集,得到沿宽度方向模场分布满足高斯分布,沿深度方向模场分布满足厄米高斯分布,与仿真结果相吻合;最后在1.2cm的波导长度下,计算出CLN和NSLN波导插入损耗分别为2.4d B和2.9d B,耦合损耗分别为0.39d B和0.41d B,得出CLN和NSLN条波导传输损耗分别为0.85d B/cm和1.23d B/cm,并且采用截断法对两种材料的传输损耗进行测试计算,得出CLN和NSLN条波导传输损耗分别为0.75d B/cm和1.25d B/cm。
康学良[6]（2017）在《掺杂及近化学计量比铌酸锂晶体的生长与性质研究》文中研究表明铌酸锂（LiNbO3,LN）晶体是一种多功能晶体材料,是重要的无机非金属材料。它在许多方面具有优异的性质,例如压电、铁电、热释电、非线性光学、电光、光弹性、光折变等。它化学性质稳定,基本不与常见的强酸强碱反应;热稳定性也非常优异,即使在1000℃以上也不会发生分解。铌酸锂最常见的生长方法为提拉法,因为它性质稳定,硬度适中,所以加工比较方便。经过几十年的研究,已经实现批量化生产,所以成本较低,是少数不断开辟应用新领域的重要功能材料。铌酸锂晶体具有非化学计量性,晶体中的锂铌比通常不是1:1。传统提拉法生长的同成分铌酸锂晶体（Congruent lithium niobate,CLN）在晶体和熔体中组分一致,易于生长,但是同成分晶体中锂元素的缺失,造成了晶体中在锂位产生空位,同时有部分铌离子进入锂位以实现电荷补偿。由此还将产生铌空位、氧空位等严重影响其物理性能,对它的应用和推广形成很大阻碍。生长近化学计量比铌酸锂晶体（stoichiometric lithiumniobate,SLN）和掺杂铌酸锂晶体是减少缺陷、改善功能的两种最常见的方式。近化学计量比铌酸锂晶体与同成分晶体相比,物理性能大幅度提高,但是因为偏离同成分点导致较难生长;在同成分铌酸锂晶体中进行MgO掺杂同样可以起到提高晶体质量的作用;在铌酸锂基质中掺杂稀土离子（Nd、Er等）可以获得激光自倍频晶体。然而,掺杂晶体因为掺杂均匀性问题生长困难,并且,如果掺杂元素分布不均匀,晶体中就会形成散射颗粒,更加严重地影响晶体品质和物理性能。因此,生长低缺陷浓度的近化学计量比铌酸锂晶体、掺杂均匀的各种铌酸锂晶体一直是晶体生长工作人员的最重要的研究目标。为解决晶体的生长问题,本论文首先研究了同成分铌酸锂晶体的元素掺杂均匀性的问题,并首创了部分液相法来合成多晶料以期获得更加理想的离子掺杂均匀性。在此基础上,生长了双掺同成分晶体和两种双掺近化学计量比晶体,主要工作要点如下:1.掺镁铌酸锂缺陷模型晶体构建与缺陷研究:为了研究铌酸锂晶体中氧化镁的存在状态,通过在多晶料中添加微米级别的合成氧化镁颗粒,生长了掺镁CLN缺陷模型晶体。利用电子探针显微镜（EPMA）,高分辨透射电镜（HRTEM）中电子能量损失谱（EDX）、电子能谱分析（EDS）面扫描以及压电力显微镜（PFM）面扫描等对晶体中的氧化镁颗粒及其周围基质进行了研究。通过研究发现,晶体生长过程中的熔料和高温均化过程,并不能完全使氧化镁进入晶体晶格,残余的氧化镁颗粒作为包裹体独立地存在于铌酸锂基质中,并且在其周围有一个浓度过渡层。残余氧化镁颗粒不但引起周围铌酸锂基质的晶格畸变,而且影响周围的压电和光学性能。2.掺镁铌酸锂晶体多晶料的"部分液相"合成法比较固相法和液相法制备多晶料的优缺点后,提出了掺杂铌酸锂多晶料合成的新方法——"部分液相法",即将掺杂元素的氧化物溶解,与其它固体氧化物原料一起进行喷雾干燥后进行煅烧合成。利用部分液相法制备了 MgOCLN和MgOSLN多晶料,通过研究不同温度对合成粉体的性质的影响,研究了掺镁铌酸锂多晶料的合成过程。合成的掺镁铌酸锂多晶料是颗粒大小均匀的球状结构,直径在10μm左右。较低的合成温度下,合成粉体中会出现LiNb3O8这样的杂相。当温度升高到1100℃以上时,LiNb308相转变变为LiNbO3相,形成纯相铌酸锂多晶料。3.掺镁近化学计量比与镁-钕双掺近化学计量比铌酸锂晶体的生长与性能研究利用部分液相法制备的原料生长了 MgOCLN晶体和Nd:Mg:CLN晶体。对MgOCLN晶体的光学均匀性和摇摆曲线进行测试,发现晶体的品质良好,进而说明镁离子通过部分液相法掺杂要优于固相法。对MgOCLN晶体的热学性质进行了研究,比较了 z轴和x轴的区别。发现z轴对于温度要比x轴更敏感。在单掺和双掺CLN晶体的基础上,研究生长了 MgOSLN和Nd:Mg:SLN晶体。详细研究了双掺CLN和双掺SLN晶体的几种重要的物理性质,并尝试讨论这些性质对晶体生长的利弊,对晶体应用的影响。测量了不同浓度双掺CLN和双掺SLN晶体的光学性质,其透过范围覆盖了紫外、可见和近红外波段,透过率较高。经过吸收边的测算,得出了晶体的铌锂比完全符合经典的同成分和化学计量比的比例关系。并通过吸收边的迁移,研究了掺杂元素镁和钕的占位问题。通过偏振光谱,分析其特征峰的性质。光学均匀性的测试表示晶体具有良好的均匀性,达到激光实验所需的要求。测量了不同浓度双掺CLN晶体和双掺SLN晶体的几种热学性质。几种晶体在热学性质方面c轴与a轴表现出很大的不同。而我们生长的SLN晶体和Mg:SLN晶体的各向异性更显着,晶体的各向异性使晶体不能均匀变化,不利于晶体生长和加工,所以SLN晶体在生长和加工上需要一些额外的工艺。SLN晶体的热导率明显优于CLN晶体,所以SLN晶体更适合应用于非线性光学和激光技术领域。4.稀土离子双掺近化学计量比铌酸锂晶体的生长与光谱性能利用"部分液相法",实现了直径一英寸的Er:Yb:SLN晶体的生长,物相鉴定证明了晶体成分符合化学计量比,而且晶体中Er和Yb元素掺杂均匀。对Er:Yb:SLN晶体进行加工,测试了晶体的吸收光谱、发射光谱和激发光谱。发现掺入Er,Yb以后,偏振吸收光谱的谱峰并不发生劈裂,980nm处的吸收峰并不是劈裂形成的,而是Yb能级的跃迁以及Yb向Er的能量传递导致的。激发光谱最高峰在381 nm,偏振发射光谱的结果表明在1030 nm处的荧光并不具有偏振性,而1500nm处的荧光大部分为y偏振光。并计算了此处的发射截面,x、y、z偏振的发射截面依次为0.59×10-21cm2,8.3×10-21cm2和0.53×10-21ccm2。测定了 Er:Yb:SLN晶体在1000 nm和1500 nm下的荧光寿命,结果分别为275.3 μs和3121.1μμs。这与双掺CLN晶体的荧光寿命类似。尝试在980 nm激发下检测Er:Yb:SLN晶体的上转换荧光,发现在530nm,550nm,600nm和610nm处有上转换荧光。
张慧杰[7]（2017）在《掺杂铌酸锂晶体紫外光致吸收及三阶非线性性质的研究》文中指出铌酸锂晶体（LiNbO3,LN）具有出色的电光效应、压电效应和非线性光学效应,是现在最为重要的人工晶体之一。同时LiNbO3晶体因为其出色的光折变性质,成为体全息存储中使用最为广泛的光折变材料之一。除了体全息存储利用光折变效应,在诸如倍频、光学参量振荡等应用中LiNbO3晶体的这种光折变性质（光损伤）是不利的,此时可在晶体中掺入MgO、ZnO、In2O3和Sc2O3等抗光损伤杂质对光损伤进行抑制。掺杂LiNbO3晶体的抗光损伤能力存在阈值效应,并且掺杂LiNbO3晶体在强光照射下会受到三阶非线性光学效应的影响,因此对抗光损伤掺杂LiNbO3晶体三阶非线性光学性质的研究是具有实际意义的。本论文对不同浓度掺Sc3+、Mg2+、Zn2+以及纯的近化学计量比LiNbO3晶体的光损伤性质及三阶非线性光学性质进行了实验研究。本论文首先用泵浦-探测方法测量了掺杂抗光损伤杂质Sc3+、Mg2+、Zn2+的LiNbO3晶体的紫外光致吸收。实验中泵浦光源使用中心波长为365nm的紫外汞氙灯,探测光源使用波长785nm的近红外半导体连续激光器,得到不同掺杂离子晶体中稳态吸收系数随浓度的变化规律,实验中改变探测光的偏振态,获得偏振对光致吸收的影响。结果表明,Sc:LiNbO3晶体中,掺钪浓度为0.1mol%和0.2mol%时,晶体有较强的光致吸收,大于纯LiNbO3晶体的光致吸收,掺钪浓度为0.5mol%、0.6mol%和0.8mol%时,晶体中的光致吸收被抑制。Mg:LiNbO3晶体中,掺镁浓度为1mol%时,晶体有较强的光致吸收,大于纯LiNbO3晶体的光致吸收,掺镁浓度为2mol%、3mol%和4mol%时,晶体中的光致吸收被抑制。Zn:LiNbO3晶体中,掺锌浓度为1mol%时,晶体有较强的光致吸收,大于纯LiNbO3晶体的光致吸收,掺锌浓度为2mol%时,晶体中的光致吸收被抑制。推断出掺Sc3+、Mg2+和Zn2+的近化学计量比LiNbO3晶体阈值浓度分别在0.2-0.5mol%、1-2mol%和1-2mol%与已知阈值浓度0.4mol%、1mol%和1mol%相符。由此可知,在实验所用LiNbO3晶体中,光致吸收与抗光损伤能力有很好的对应关系,在掺杂浓度低于阈值浓度时,晶体有较强的光致吸收,在掺杂浓度高于阈值浓度时,晶体光致吸收被抑制。为了验证晶体的抗光损伤能力,使用透射光斑畸变法、光散射阈值能量流法对晶体进行测试,两实验均使用波长为532nm的蓝宝石相干SF激光器,结果与光致吸收的结果相符,证明可以通过测量光致吸收判断晶体的抗光损伤能力和掺杂阈值浓度。其次,用Z扫描法对所有LiNbO3晶体三阶非线性性质进行研究,采用开孔Z扫描法测量晶体三阶非线性吸收系数β,用闭孔Z扫描法测量晶体三阶非线性折射系数γ,通过拟合实验曲线,获得了所有晶体的三阶非线性折射系数和三阶非线性吸收系数。发现在所有掺杂LiNbO3晶体中,β和γ的绝对值均随掺杂浓度增大而减小,且三阶非线性折射系数在掺杂阈值处符号发生变化。对Sc:LiNbO3晶体,掺钪浓度为0.1mol%和0.2mol%时,γ为负,掺钪浓度为0.5mol%、0.6mol%和0.8mol%时,γ为正;对Mg:LiNbO3晶体,掺镁浓度为1mol%时,γ为负,掺镁浓度为2mol%、3mol%和4mol%时,γ为正;对Zn:LiNbO3晶体,掺锌浓度为1mol%时,γ为负,掺锌浓度为2mol%时,γ为正。论文测量了掺钪、镁和锌等杂质的近化学计量比LiNbO3晶体的紫外光致吸收、三阶非线性折射系数和三阶非线性吸收系数,同时发现紫外泵浦-探测方法可用于对晶体抗光损伤能力和掺杂阈值浓度的判定,结果对于掺杂光损伤杂质LiNbO3晶体的非线性光学应用具有参考价值。
孙德辉,刘宏,桑元华,秦小勇,崔坤,王继扬[8]（2012）在《近化学计量比和掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长与表征》文中研究表明发明了悬挂坩埚技术并利用该技术成功生长了2英寸掺镁和纯化学计量比铌酸锂晶体,并对这两种晶体的结构、热学性质和光谱性质进行了全面的表征。此外利用原料合成新方法——溶液合成法使掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的组分均匀性和光学均匀性显着提高,测试结果证明了晶体的高光学均匀性和成分均匀性,完全符合应用的要求。
吴亮[9]（2011）在《基于钛酸铜钙、铌酸锂铁电材料的太赫兹波调制特性研究》文中指出太赫兹功能器件是太赫兹研究领域中非常重要的一部分，其中基于铁电材料的太赫兹波调制器件，由于其重要的研究和应用价值而受到广泛关注。本论文着重于研究基于钛酸铜钙陶瓷和不同掺杂近化学计量比铌酸锂晶体等铁电材料在太赫兹波段的调制特性。通过建立模型，分析了太赫兹波与铁电材料相互作用的物理机制。利用太赫兹时域光谱系统对钛酸铜钙和不同掺杂近化学计量比铌酸锂晶体在太赫兹波段的物理性质和介电响应进行了研究，重点采用光控手段对这些铁电材料在太赫兹波段的介电常数进行调制，调制幅度分别达到了7%和5.5%，并且探讨了影响铁电材料在太赫兹波段介电响应的各种微观机制以及实验中观测到的光铁电现象。具体研究内容如下：（1）介绍了太赫兹技术和铁电体的基本概念。对太赫兹波的应用系统结构和太赫兹时域光谱技术进行了简介。讨论了铁电微观机制中的软模理论，它认为铁电相变是由晶体布里渊区中心的某个光学横模振动频率的下降引起的。我们利用德拜弛豫模型和振子模型来探讨铁电体的介电响应频谱，它们分别对应于有序无序型铁电体和位移型铁电体。介绍了一些常见的光铁电现象，重点讨论了反常光生伏打效应和光折变效应。（2）采用实验方法测量了室温下钛酸铜钙（CCTO）陶瓷在太赫兹波段的光谱特性。通过数据处理和计算得到了钛酸铜钙陶瓷在太赫兹波段的复介电常数色散曲线。CCTO在太赫兹波段的介电常数数值约为6575，并没有表现出较强的巨介电性质。当对样品材料施加不同强度的外光场时，我们实现了对CCTO介电常数的调制，调制幅度可达7%。我们观察到样品折射率的变化与外加光场的强度成线性关系，这些变化被认为是由材料中光生载流子导致的自发极化的改变引起的。（3）采用实验方法测量了室温下掺铁近化学计量比铌酸锂单晶和掺铈近化学计量比铌酸锂单晶在太赫兹波段的光谱特性。通过数据处理和计算得到了两种晶体在太赫兹波段的复介电常数、吸收系数、复折射率色散曲线。在太赫兹波段，掺铁近化学计量比铌酸锂单晶的介电常数约为4246，折射率约为6.56.8；吸收系数约为60100cm-1，略大于无掺杂的近化学计量比铌酸锂单晶。在太赫兹波段，掺铈近化学计量比铌酸锂单晶的介电常数约为3943，折射率约为6.36.6；吸收系数约为70120cm-1，略大于无掺杂的近化学计量比铌酸锂单晶。（4）利用外加光场的方法实现了对掺铁近化学计量比铌酸锂单晶和掺铈近化学计量比铌酸锂单晶在太赫兹波段的介电常数和吸收系数的调制，对介电常数的调制幅度分别达到3%和1.8%，对吸收系数的调制幅度分别达到5.5%和4%。当光强较小时，晶体的折射率变化量随着外加光场强度的变化成线性关系，这一现象被认为是由光折变效应引起的，即光生载流子的空间位移在晶体内部产生了空间电荷场，它通过线性电光效应引起了晶体折射率的变化。其中掺铁近化学计量比铌酸锂单晶的光折变效应明显强于掺铈近化学计量比铌酸锂单晶。另外，当光强达到一定程度后，我们在两种晶体当中均观测到光折变效应的突然减弱，引起这一现象的原因被归结为光致畴反转。在掺铁近化学计量比铌酸锂单晶观察到光致畴反转现象所需的光强要低于掺铈近化学计量比铌酸锂单晶。
孙德辉,刘宏,颜涛,王继扬[10]（2011）在《近化学计量比钽酸锂晶体-生长技术和成分测试方法》文中研究指明近化学计量比钽酸锂晶体的各种优越的物理性质已经吸引了众多研究者们的兴趣。常规提拉法生长的钽酸锂是一种非化学计量比的晶体,晶体中存在大量的本征缺陷,限制了其在高性能器件的应用。研究者们都在努力寻找一种能生长大尺寸高质量晶体的方法,并利用晶体的各种性质制造相应的功能器件。本文综述主要介绍了同成分钽酸锂晶体的缺陷结构和未掺杂和掺镁近化学计量比钽酸锂晶体的生长技术及成分测试方法。
二、近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展（论文开题报告）
（1）论文研究背景及目的
此处内容要求：
首先简单简介论文所研究问题的基本概念和背景，再而简单明了地指出论文所要研究解决的具体问题，并提出你的论文准备的观点或解决方法。
写法范例：
本文主要提出一款精简64位RISC处理器存储管理单元结构并详细分析其设计过程。在该MMU结构中,TLB采用叁个分离的TLB,TLB采用基于内容查找的相联存储器并行查找,支持粗粒度为64KB和细粒度为4KB两种页面大小,采用多级分层页表结构映射地址空间,并详细论述了四级页表转换过程,TLB结构组织等。该MMU结构将作为该处理器存储系统实现的一个重要组成部分。
（2）本文研究方法
调查法：该方法是有目的、有系统的搜集有关研究对象的具体信息。
观察法：用自己的感官和辅助工具直接观察研究对象从而得到有关信息。
实验法：通过主支变革、控制研究对象来发现与确认事物间的因果关系。
文献研究法：通过调查文献来获得资料，从而全面的、正确的了解掌握研究方法。
实证研究法：依据现有的科学理论和实践的需要提出设计。
定性分析法：对研究对象进行“质”的方面的研究，这个方法需要计算的数据较少。
定量分析法：通过具体的数字，使人们对研究对象的认识进一步精确化。
跨学科研究法：运用多学科的理论、方法和成果从整体上对某一课题进行研究。
功能分析法：这是社会科学用来分析社会现象的一种方法，从某一功能出发研究多个方面的影响。
模拟法：通过创设一个与原型相似的模型来间接研究原型某种特性的一种形容方法。
三、近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展（论文提纲范文）
（1）钛扩散铌酸锂光波导光学性质的实验研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 铌酸锂LiNbO_3,LN晶体 |
| 1.1.1 LiNbO_3晶体的结构与性质 |
| 1.1.2 同成份LiNbO_3晶体 |
| 1.1.3 近化学计量比LiNbO_3晶体的优点 |
| 1.2 铌酸锂光波导 |
| 1.2.1 质子交换铌酸锂光波导 |
| 1.2.2 钛扩散铌酸锂光波导 |
| 1.3 钛扩散铌酸锂光波导电光器件 |
| 1.4 研究钛扩散铌酸锂光波导电光效应的意义和现状 |
| 1.5 本论文的主要工作 |
| 第2章 近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导导波性质的实验研究 |
| 2.1 富锂气相输运平衡(Li-rich VTE)制备近化学计量比铌酸锂晶体 |
| 2.1.1 富锂VTE的基本原理 |
| 2.1.2 影响VTE效率的因素 |
| 2.2 先VTE后钛扩散制作近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导及其导波性质表征 |
| 2.2.1 近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的制作 |
| 2.2.2 所制作的平面光波导的组份及导波性质表征 |
| 2.3 先钛扩散后VTE制作近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导及其导波性质表征 |
| 2.3.1 近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的制作 |
| 2.3.2 所制作的平面光波导的组份及导波性质表征 |
| 2.4 钛扩散与VTE同时进行制作近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导及其导波性质表征 |
| 2.4.1 近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的制作 |
| 2.4.2 所制作的平面光波导的组份及导波性质表征 |
| 2.5 采用三种方法所制作的波导的光学性质比较 |
| 本章小结 |
| 第3章 双面钛扩散铌酸锂晶体电光性质的实验研究 |
| 3.1 铌酸锂晶体的电光效应 |
| 3.1.1 折射率椭球 |
| 3.1.2 铌酸锂晶体的电光效应及电光系数 |
| 3.2 M-Z干涉测量系统及测量原理 |
| 3.2.1 测量系统 |
| 3.2.2 测量原理 |
| 3.2.3 测量过程及注意事项 |
| 3.3 体掺钛铌酸锂样品的制备及电光性质表征 |
| 3.3.1 体掺钛铌酸锂样品的制备 |
| 3.3.2 体掺钛铌酸锂样品的电光性质表征 |
| 3.4 双面钛扩散铌酸锂样品的制备及电光性质表征 |
| 3.4.1 双面钛扩散铌酸锂样品的制备 |
| 3.4.2 双面钛扩散铌酸锂样品的电光性质表征 |
| 3.4.3 光折变效应的影响 |
| 3.5 体掺钛铌酸锂样品与双面钛扩散铌酸锂样品的电光性质结果比较 |
| 3.6 实验误差分析 |
| 本章小结 |
| 第4章 同成份和近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导电光性质的实验研究 |
| 4.1 棱镜耦合仪测量电光系数的实验系统及原理 |
| 4.1.1 测量系统 |
| 4.1.2 测量原理 |
| 4.1.3 测量过程及注意事项 |
| 4.2 名义纯同成份铌酸锂晶体的电光性质表征 |
| 4.3 同成份钛扩散铌酸锂平面光波导的制作及电光性质表征 |
| 4.3.1 同成份钛扩散铌酸锂平面光波导的制作 |
| 4.3.2 同成份钛扩散铌酸锂平面光波导的电光性质表征 |
| 4.4 近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的制作及电光性质表征 |
| 4.4.1 近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的制作 |
| 4.4.2 近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的电光性质表征 |
| 4.4.3 光折变效应的影响 |
| 4.5 名义纯同成份铌酸锂晶体、同成份和近化学计量比钛扩散铌酸锂平面光波导的电光性质结果比较 |
| 4.6 实验误差分析 |
| 本章小结 |
| 第5章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（2）铌酸锂晶体及其应用概述（论文提纲范文）
| 0 引 言 |
| 1 铌酸锂晶体基本性质 |
| 1.1 铌酸锂晶体概述 |
| 1.2 晶体晶格结构 |
| 1.3 缺陷结构 |
| 1.4 晶体定向 |
| 2 铌酸锂晶体的性能调控 |
| 2.1 铌酸锂晶体的掺杂 |
| (1)光折变掺杂 |
| (2)抗光折变掺杂 |
| (3)其它掺杂 |
| 2.2 近化学计量比铌酸锂晶体 |
| 3 铌酸锂晶体的制备 |
| 3.1 同成分铌酸锂晶体的制备 |
| 3.2 近化学计量比铌酸锂晶体的制备 |
| (1)富锂熔体法 |
| (2)助熔剂法 |
| (3)扩散法 |
| 3.3 铌酸锂单晶薄膜 |
| 3.4 铌酸锂单晶光纤 |
| 4 铌酸锂晶体的主要应用 |
| 4.1 压电应用 |
| 4.2 光学应用 |
| 4.3 介电超晶格 |
| 5 铌酸锂晶体的展望 |
| 5.1 声学应用 |
| 5.2 光通信应用 |
| 5.3 光子集成芯片 |
（3）高性能太赫兹波参量辐射源及其应用的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 太赫兹波的基本性质与应用 |
| 1.2 太赫兹辐射源现状 |
| 1.3 太赫兹波参量辐射源研究进展及现状分析 |
| 1.4 本文的主要内容 |
| 第2章 基于受激电磁耦子散射的太赫兹波参量产生的理论研究 |
| 2.1 电磁波与长波光学晶格振动模的耦合作用 |
| 2.1.1 各向同性介质中的电磁波传播特性 |
| 2.1.2 电磁波与长波光学晶格振动模的相互作用 |
| 2.1.3 电磁耦子的介电特性 |
| 2.1.4 电磁耦子的本征能量特性 |
| 2.2 基于受激电磁耦子散射的太赫兹波参量产生过程动力学分析 |
| 2.2.1 耦合波方程理论模型推导 |
| 2.2.2 数值计算及结果分析 |
| 2.3 本章小结 |
| 第3章 基于近化学计量比铌酸锂晶体的太赫兹波参量振荡器的研究 |
| 3.1 SLN晶体的光学特性 |
| 3.2 SLN晶体在太赫兹波段的色散、吸收及相位匹配条件研究 |
| 3.3 基于SLN晶体的宽带高能量太赫兹波参量振荡器的实验研究 |
| 3.3.1 实验装置 |
| 3.3.2 实验结果及分析 |
| 3.4 基于循环泵浦技术的高效率太赫兹波参量振荡器的实验研究 |
| 3.4.1 实验装置 |
| 3.4.2 实验结果及分析 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 基于KTP晶体的可调谐双色太赫兹波参量振荡器的研究 |
| 4.1 KTP晶体的光学特性 |
| 4.2 KTP晶体在太赫兹波段的色散、吸收及相位匹配条件研究 |
| 4.3 基于KTP晶体的可调谐双色太赫兹波参量振荡器的实验研究 |
| 4.3.1 实验装置 |
| 4.3.2 实验结果及分析 |
| 4.4 本章小结 |
| 第5章 基于相干受激电磁耦子散射的太赫兹波参量产生的理论研究 |
| 5.1 非线性极化率的共振增强效应 |
| 5.2 相干受激拉曼散射基本原理 |
| 5.3 基于相干受激电磁耦子散射的太赫兹波参量产生过程动力学分析 |
| 5.3.1 耦合波方程理论模型 |
| 5.3.2 数值计算及结果分析 |
| 5.4 本章小结 |
| 第6章 基于相干受激电磁耦子散射的太赫兹波参量产生技术的实验研究 |
| 6.1 基于SLN晶体的脉冲种子注入式太赫兹波参量产生器的实验研究 |
| 6.1.1 实验装置 |
| 6.1.2 实验结果及分析 |
| 6.2 基于KTP晶体的脉冲种子注入式太赫兹波参量产生器的实验研究 |
| 6.2.1 实验装置 |
| 6.2.2 实验结果及分析 |
| 6.3 本章小结 |
| 第7章 太赫兹频段典型目标体的雷达散射截面测量研究 |
| 7.1 太赫兹频段目标散射特性实验研究现状 |
| 7.2 太赫兹频段典型目标体雷达散射截面的理论分析 |
| 7.3 典型目标体的雷达散射截面测量实验研究 |
| 7.3.1 实验装置 |
| 7.3.2 太赫兹高频段典型目标体雷达散射截面测量 |
| 7.4 本章小结 |
| 第8章 总结与展望 |
| 8.1 论文研究内容总结 |
| 8.2 未来工作展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（4）铪铁铜铌酸锂晶体的制备和全息存储性能的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 课题背景及研究目的和意义 |
| 1.2 体全息存储技术 |
| 1.2.1 体全息存储的原理 |
| 1.2.2 体全息国内外现状 |
| 1.2.3 体全息存储材料 |
| 1.3 铌酸锂晶体的晶体结构和缺陷 |
| 1.3.1 铌酸锂晶体的晶体结构 |
| 1.3.2 铌酸锂晶体的晶体结构 |
| 1.3.3 铌酸锂晶体的非本征缺陷 |
| 1.4 铌酸锂晶体的掺杂改性 |
| 1.5 铌酸锂晶体的研究进展 |
| 1.6 课题研究内容 |
| 第2章 Hf:Fe:Cu:LiNbO_3 晶体的制备与加工 |
| 2.1 晶体的生长方式 |
| 2.2 晶体原料和预处理 |
| 2.2.1 晶体掺杂剂的选择和原料配比 |
| 2.2.2 晶体制备仪器 |
| 2.3 晶体的制备过程 |
| 2.3.1 原料的预烧结 |
| 2.4 晶体生长工艺 |
| 2.4.1 温度梯度 |
| 2.4.2 提拉速度 |
| 2.4.3 旋转速度 |
| 2.5 晶体生长 |
| 2.6 晶体的极化和加工 |
| 2.6.1 晶体极化 |
| 2.6.2 晶片加工 |
| 2.7 本章小结 |
| 第3章 Hf:Fe:Cu:LiNbO_3 晶体的缺陷与结构 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 有效分凝系数 |
| 3.2.1 有效分凝系数测试原理 |
| 3.2.2 有效分凝系数测试结果及分析 |
| 3.3 红外吸收光谱 |
| 3.3.1 红外吸收光谱测试原理 |
| 3.3.2 红外吸收光谱测试结果及分析 |
| 3.4 晶体光学均匀性 |
| 3.5 本章小结 |
| 第4章 Hf:Fe:Cu:LiNbO_3 晶体的全息存储性能 |
| 4.1 晶体的光折变性能测试 |
| 4.2 晶体光折变综合性能参数 |
| 4.2.1 衍射效率 |
| 4.2.2 时间常数 |
| 4.2.3 光折变灵敏度 |
| 4.2.4 动态范围 |
| 4.3 测试结果与分析 |
| 4.3.1 不同Hf~(4+)浓度Hf:Fe:Cu:LiNbO_3 晶体的全息存储综合性能分析 |
| 4.3.2 [Li]/[Nb]比对Hf:Fe:Cu:LiNbO_3 晶体的全息存储性能的影响 |
| 4.4 抗光损伤性能测试 |
| 4.4.1 抗光损伤测试方法 |
| 4.4.2 抗光损伤测试结果分析 |
| 4.5 本章小结 |
| 结论 |
| 参考文献 |
| 攻读硕士学位期间所发表的学术论文 |
| 致谢 |
（5）缓冲质子交换近化学计量比LiNbO3光波导的制备与表征（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第1章 绪论 |
| 1.1 集成光学的研究进展 |
| 1.2 集成光学器件材料的选取 |
| 1.3 铌酸锂的基本特征和主要应用 |
| 1.3.1 同成分铌酸锂晶体 |
| 1.3.2 近化学计量比铌酸锂晶体 |
| 1.3.3 铌酸锂晶体性质及应用 |
| 1.4 铌酸锂光波导的制备工艺 |
| 1.4.1 钛扩散法 |
| 1.4.2 质子交换法 |
| 1.5 本论文的主要工作与意义 |
| 第2章 光波导理论介绍 |
| 2.1 光波导的结构类型 |
| 2.1.1 平面光波导 |
| 2.1.2 通道型光波导 |
| 2.1.3 圆柱型光波导 |
| 2.2 麦克斯韦方程组 |
| 2.3 波动光学 |
| 2.4 平面波导的线光学理论 |
| 2.4.1 光线在介质交界面的反射和折射 |
| 2.4.2 光线在平面光波导中的传播 |
| 2.4.3 平面型光波导的导模 |
| 2.5 条形介质光波导 |
| 第3章 缓冲质子交换铌酸锂平面光波导扩散特征和腐蚀的研究 |
| 3.1 近化学计量比铌酸锂晶体 |
| 3.2 制备近化学计量比铌酸锂晶体的方法 |
| 3.2.1 制备的过程 |
| 3.2.2 用VTE法制备铌酸锂晶体的优势 |
| 3.3 平面波导样品的制备 |
| 3.3.1 缓冲质子交换 |
| 3.3.2 不同浓度质子交换过程 |
| 3.4 平面波导样品的测量 |
| 3.4.1 棱镜耦合法测量光波导有效折射率 |
| 3.4.2 IWKB法拟合 |
| 3.5 缓冲质子交换过程的扩散特征 |
| 3.5.1 折射率分布 |
| 3.5.2 扩散系数 |
| 3.5.3 两种组分晶体中扩散特征的对比 |
| 3.6 缓冲质子交换过程的扩散机制 |
| 3.7 质子交换铌酸锂的腐蚀 |
| 第4章 缓冲质子交换近化学计量比铌酸锂条波导的制备与表征 |
| 4.1 条波导的制备 |
| 4.1.1 传统的制备工艺流程 |
| 4.1.2 制备工艺的改进 |
| 4.1.3 具体的制备过程 |
| 4.2 条波导的表征 |
| 4.2.1 条波导表面形貌的表征 |
| 4.2.2 波导近场模式 |
| 4.2.3 波导传输损耗 |
| 第5章 总结与展望 |
| 参考文献 |
| 发表论文和参加科研情况说明 |
| 致谢 |
（6）掺杂及近化学计量比铌酸锂晶体的生长与性质研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| ABSTRACT |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 铌酸锂晶体的研究和应用现状 |
| 1.2 近化学计量比铌酸锂晶体和掺杂工程 |
| 1.2.1 铌酸锂的结构和物理性能基础 |
| 1.2.2 近化学计量比与同成分晶体 |
| 1.2.3 掺杂工程 |
| 1.3 本论文拟开展的工作 |
| 参考文献 |
| 第二章 掺杂铌酸锂晶体的制备工艺及掺杂均匀性对晶体的影响 |
| 2.1 掺镁铌酸锂晶体中的常见缺陷及性质研究 |
| 2.1.1 铌酸锂晶体中的宏观缺陷简介 |
| 2.1.1.1. 宏观缺陷类型 |
| 2.1.1.2. 宏观缺陷的表征手段 |
| 2.1.2 本征缺陷的消除与掺杂占位 |
| 2.1.3 镁掺杂铌酸锂模型晶体生长 |
| 2.1.4 晶体中的氧化镁颗粒对晶体的影响 |
| 2.2 部分液相法合成均匀掺镁铌酸锂多晶料 |
| 2.2.1 铌酸锂多晶料的合成机理 |
| 2.2.2 部分液相法MgO均匀掺杂铌酸锂多晶料的制备 |
| 2.3 均匀掺杂同成分铌酸锂晶体的生长和性质研究 |
| 2.3.1 提拉法生长铌酸锂单晶 |
| 2.3.2 部分液相法多晶料生长的单晶表征 |
| 2.3.3 Nd:Mg:CLN晶体的生长 |
| 2.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第三章 掺杂近化学计量比铌酸锂晶体的生长和性质研究 |
| 3.1 MgO掺杂NSLN晶体的生长工艺改进及晶体质量研究 |
| 3.1.1 多晶料制备 |
| 3.1.2 晶体生长 |
| 3.1.3 晶体表征 |
| 3.2 Nd:Mg:NSLN晶体的生长及晶体物理性质研究 |
| 3.2.1 Nd:Mg:NSLN晶体生长工艺探索 |
| 3.2.2 钕镁双掺近化学计量比与同成分铌酸锂晶体性质研究 |
| 3.3 铒镱双掺化学计量比铌酸锂晶体的生长和性质研究 |
| 3.3.1 晶体的生长与处理 |
| 3.3.2 晶体的物理性质 |
| 3.3.3 晶体的光谱性质 |
| 3.3.3.1 能级跃迁与吸收光谱 |
| 3.3.3.2 偏振吸收光谱 |
| 3.3.3.3 激发和发射光谱 |
| 3.3.3.4 荧光寿命和上转换发光 |
| 3.4 本章小结 |
| 参考文献 |
| 第四章 总结 |
| 4.1 结论 |
| 4.2 主要创新点 |
| 攻读学位期间发表的论文和专利 |
| 攻读学位期间获得的奖励 |
| 致谢 |
| 附录 |
| 附件 |
（7）掺杂铌酸锂晶体紫外光致吸收及三阶非线性性质的研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| abstract |
| 第一章 绪论 |
| 1.1 课题背景 |
| 1.2 光折变效应 |
| 1.3 光致吸收效应 |
| 1.4 铌酸锂晶体 |
| 1.4.1 铌酸锂晶体基本结构 |
| 1.4.2 铌酸锂晶体的掺杂特性 |
| 1.4.3 抗光折变掺杂与光致吸收效应的联系 |
| 1.5 研究目的、意义及主要内容 |
| 1.5.1 研究目的及意义 |
| 1.5.2 课题主要研究内容 |
| 第二章 实验样品及方法 |
| 2.1 晶体准备 |
| 2.2 光致吸收测量方法 |
| 2.3 晶体抗光损伤能力测试 |
| 2.4 Z-scan方法 |
| 2.4.1 Z-scan方法实验装置 |
| 2.4.2 Z-scan法测量非线性折射率的理论及计算 |
| 2.4.3 Z-scan法测量非线性吸收的理论及计算 |
| 第三章 掺杂铌酸锂晶体的光致吸收效应研究 |
| 3.1 引言 |
| 3.2 光致吸收理论基础 |
| 3.3 Sc:LiNbO_3晶体紫外光致吸收实验结果 |
| 3.3.1 Sc:LiNbO_3晶体光致吸收的时间演化曲线 |
| 3.3.2 Sc:LiNbO_3晶体稳态光致吸收系数的计算 |
| 3.3.3 Sc:LiNbO_3晶体吸收系数的偏振依赖性 |
| 3.3.4 Sc:LiNbO_3晶体的抗光损伤能力测试 |
| 3.4 Mg:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体紫外光致吸收实验结果 |
| 3.4.1 Mg:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体光致吸收的时间演化曲线 |
| 3.4.2 Mg:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体稳态光致吸收系数的计算 |
| 3.4.3 Mg:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体吸收系数的偏振依赖性 |
| 3.4.4 Mg:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体的抗光损伤能力测试 |
| 3.5 本章小结 |
| 第四章 掺杂铌酸锂晶体三阶非线性性质的研究 |
| 4.1 引言 |
| 4.2 Z-scan法理论基础 |
| 4.3 Mg:LiNbO_3晶体的Z-scan法测量 |
| 4.3.1 Mg:LiNbO_3晶体非线性折射率的测量 |
| 4.3.2 Mg:LiNbO_3晶体非线性吸收系数的测量 |
| 4.4 Sc:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体的Z-scan法测量 |
| 4.4.1 Sc:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体非线性折射率的测量 |
| 4.4.2 Sc:LiNbO_3和Zn:LiNbO_3晶体非线性吸收系数的测量 |
| 4.5 本章小结 |
| 第五章 总结与展望 |
| 5.1 工作总结 |
| 5.2 展望 |
| 参考文献 |
| 致谢 |
| 在学期间的研究成果及发表的学术论文 |
（8）近化学计量比和掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长与表征（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 实 验 |
| 2.1 原料合成 |
| 2.2 晶体生长 |
| 2.3 测试与表征 |
| 3 结果与讨论 |
| 3.1 摇摆曲线 |
| 3.2 热学性质 |
| 3.3 光学均匀性 |
| 3.4 镁掺杂均匀性 |
| 3.5 紫外和红外吸收谱 |
| 4 应 用 |
| 5 结 论 |
（9）基于钛酸铜钙、铌酸锂铁电材料的太赫兹波调制特性研究（论文提纲范文）
| 摘要 |
| Abstract |
| 1 绪论 |
| 1.1 太赫兹波简介 |
| 1.2 太赫兹波应用系统 |
| 1.3 太赫兹时域光谱技术 |
| 1.4 论文主要研究内容及意义 |
| 2 铁电材料的基本性质 |
| 2.1 铁电材料简介 |
| 2.2 铁电相变的微观理论 |
| 2.3 铁电体的介电响应 |
| 2.4 铁电体的光学效应 |
| 2.5 本章小结 |
| 3 基于钛酸铜钙陶瓷的太赫兹波调制特性研究 |
| 3.1 钛酸铜钙材料简介 |
| 3.2 钛酸铜钙材料的制备 |
| 3.3 实验方法 |
| 3.4 实验结果及讨论 |
| 3.5 本章小结 |
| 4 太基于不同参杂铌酸锂铁电材料的太赫兹波调制特性研究 |
| 4.1 铌酸锂铁电材料简介 |
| 4.2 实验方法 |
| 4.3 掺铁近化学计量比铌酸锂单晶实验结果及讨论 |
| 4.4 掺铈近化学计量比铌酸锂单晶实验结果及讨论 |
| 4.5 掺铁铌酸锂与掺铈铌酸锂的对比及相关讨论 |
| 4.6 本章小结 |
| 5 基于钛酸锶、钛酸锶钡铁电材料的太赫兹波电控调制器设计 |
| 5.1 模型设计 |
| 5.2 理论分析与模拟 |
| 5.3 本章小结 |
| 6 总结与展望 |
| 6.1 全文总结 |
| 6.2 未来工作展望 |
| 致谢 |
| 参考文献 |
| 附录 1 攻读博士学位期间发表的论文目录 |
（10）近化学计量比钽酸锂晶体-生长技术和成分测试方法（论文提纲范文）
| 1 引 言 |
| 2 钽酸锂晶体结构 |
| 2.1 晶格结构 |
| 2.2 钽酸锂晶体缺陷结构 |
| 2.2.1 本征缺陷 |
| 2.2.2 非本征缺陷 |
| 3 近化学计量比钽酸锂单晶生长 |
| 3.1 K2O助熔法 |
| 3.2 传统提拉法 |
| 3.3 双坩埚提拉法 |
| 3.4 水平区熔提拉法 |
| 3.5 悬挂坩埚法 |
| 3.6 气相传输平衡法 |
| 4 成分测试 |
| 4.1 拉曼光谱法 |
| 4.2OH-吸收谱测量法[38] |
| 4.3 居里温度法 |
| 4.3.1 差热法测居里温度[39] |
| 4.3.2 介温谱法测居里温度[40] |
| 4.4 零双折射法 |
| 5 结 语 |
四、近化学计量比铌酸锂晶体的研究进展（论文参考文献）
- [1]钛扩散铌酸锂光波导光学性质的实验研究[D]. 孙祺. 天津大学, 2020
- [2]铌酸锂晶体及其应用概述[J]. 孙军,郝永鑫,张玲,许京军,祝世宁. 人工晶体学报, 2020(06)
- [3]高性能太赫兹波参量辐射源及其应用的研究[D]. 唐隆煌. 天津大学, 2020(01)
- [4]铪铁铜铌酸锂晶体的制备和全息存储性能的研究[D]. 韩县博. 哈尔滨理工大学, 2020(02)
- [5]缓冲质子交换近化学计量比LiNbO3光波导的制备与表征[D]. 徐庆东. 天津大学, 2019(01)
- [6]掺杂及近化学计量比铌酸锂晶体的生长与性质研究[D]. 康学良. 山东大学, 2017(08)
- [7]掺杂铌酸锂晶体紫外光致吸收及三阶非线性性质的研究[D]. 张慧杰. 南京航空航天大学, 2017(03)
- [8]近化学计量比和掺镁近化学计量比铌酸锂晶体的生长与表征[J]. 孙德辉,刘宏,桑元华,秦小勇,崔坤,王继扬. 人工晶体学报, 2012(S1)
- [9]基于钛酸铜钙、铌酸锂铁电材料的太赫兹波调制特性研究[D]. 吴亮. 华中科技大学, 2011(07)
- [10]近化学计量比钽酸锂晶体-生长技术和成分测试方法[J]. 孙德辉,刘宏,颜涛,王继扬. 人工晶体学报, 2011(03)